《半导体物理学》semi_phys17.ppt

§5.8 连续性方程 一维n型半导体，更普遍的情况是载流子浓度既与位置x有关，又与时间t有关，那么少子空穴的扩散流密度Sp和扩散电流密度(Jp)Dif分别为 单位时间单位体积中因扩散积累的空穴数为 单位时间单位体积中因漂移积累的空穴数为 小注入条件下，单位体积中复合消失的空穴数是Δp/τp，用gp表示生产率，则可列出 上式称为空穴的连续性方程。它反映了漂移和扩散运动同时存在时少子空穴遵守的运动方程。 把载流子的扩散系数、迁移率、寿命和电场强度都看成常数的话，那么，连续性方程中的变量，除了位置和时间外，只有载流子浓度及其微分。 类似可得电子的连续性方程。 讨论： 非稳态情况： 光照被均匀掺杂的半导体均匀吸收，产生非平衡载流子，无外加电场，t=0时刻撤消光照，非平衡载流子将随时间的指数衰减（ §5.2）； 稳态情况： 材料是均匀的，因而平衡空穴浓度p0与x无关；光照在半导体表面产生非平衡载流子，向体内扩散，无外加电场，达稳态时，非平衡载流子将随深入样品的距离指数衰减(§5.6) 材料是均匀的，电场是均匀的．因而 连续性方程式化简为 解的形式为 其中 是下面方程的两个根 令 牵引长度 解为 由于载流子会逐渐衰减，指数应为负，则 如果电场很强 如果电场很弱 扩散长度与牵引长度 均是指载流子边扩散边复合过程平均深入样品的距离（即的寿命时间内走过的距离）。 扩散长度指的是由浓度梯度引起的扩散的情况 牵引长度指的是电场作用下由浓度梯度引起的扩散的情况。为非平衡载流子的边漂移扩散边复合的过程中深入样品的平均距离。 少子脉冲(非稳态情况) 为便于讨论，假定： ①入射光无横向尺度； ②入射光渗透距离等于样品厚度； ③光闪时间极短，可与过剩载流子的寿命比拟。 先考虑不存在电场时的情况，连续性-输运方程的形式为 光引入的非平衡载流子数目为Np 即典型的高斯分布函数 指数函数的第一项关系到载流子的扩散，以特征长度(4Dpt)1/2 造成分布随时间弥散的结果。 指数函数中的第二项关系到载流子的复合，时间趋于无穷大时，函数必然趋于零； 加电场时，连续性方程为 解为 加上外电场时，光脉冲停止后，整个非平衡载流子的“包”以漂移速度 向样品的负端运动。 同时，也像不加电场时一样，非平衡载流子要向外扩散并进行复合。 存在电场时，不难设想图像在电场作用下将整体沿电场方向移动的情景。 注入少子脉冲的漂移和扩散（海因斯-肖克莱少子漂移迁移率实验) 实验装置如图。测试时A、B两端加一电场，由C端注入的少子脉冲在扩散的同时向D点漂移。D点为一检测少子浓度的探针。 稳态下的表面复合 若稳定光照射在一块均匀掺杂的n型半导体中均匀产生非平衡载流子，产生率为gp，则达到稳态时 如果在样品的一端存在表面复合，则这个面上过剩空穴浓度将比体内为低，空穴就要流向这个表面，并在那里复合。 在小注入的情况下，忽略电场的影响，空穴所遵循的稳态连续性方程是 设产生表面复合的面位于x=0处，则方程应满足如下的边界条件 方程的解为 代入左边界条件得到 确定系数 则空穴浓度为 在三维情况下 电流所引起的载流子在单位体积中的积累率，由电流密度的散度决定。 空穴的连续性方程： 而电子的连续性方程： 连续性方程式确实反映了半导体中少数载流子运动的普遍规律，它是研究半导体器件原理的基本方程之—。 * * 注：由于此时空穴浓度左低右高，导数为正，所以扩散流密度无负号。 注：表面复合速度sp趋于0时，空穴均匀分布与x无关； sp趋于无穷时，表面处空穴浓度为平衡值。