2016模拟电子技术基础.复习汇编.docVIP

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  • 2017-03-16 发布于湖北
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2016模拟电子技术基础.复习汇编

第一部分 半导体器件 一、半导体基知识 半导体的导电特性半导体的特性杂质半导体的特性PN结的特性。 的导电特性 本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。本征激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的,称为电子空穴对。 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。注意,这里是用空穴移动产生的电流来代表价电子移动产生的电流。 杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 杂质半导体的特性: *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 PN结----是构成半导体二极管和其他半导体器件的基础,它是由P 型半导体和N 型半导体,在不同载流子浓度差异作用下,在交界面处形成的特殊区域。 PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。当PN 结外加正向电压(正向偏置)时,耗尽区变窄,有较大电流流过;而当外加反向电压(反向偏置)时,耗尽区变宽,没有电流流过或电流极小,这是二极管最重要的特性。 PN结的伏安特性----

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