MOS阈值电压VT.docVIP

晶体管阈值电压 　　晶体管阈值电压（Threshold voltage）： 　　场效应晶体管（FET）的阈值电压就是指耗尽型FET的夹断电压与增强型FET的开启电压。 （1）对于JFET： 耗尽型JFET的沟道掺杂浓度越高, 原始沟道越宽，则夹断电压就越高；温度升高时，由于本征载流子浓度的提高和栅结内建电势的减小, 则夹断电压降低。 对于长沟道JFET，一般只有耗尽型的器件；SIT（静电感应晶体管）也可以看成为一种短沟道JFET，该器件就是增强型的器件。 （2）对于MOSFET： *增强型MOSFET的阈值电压VT是指刚刚产生出沟道 表面强反型层 时的外加栅电压。 对于理想的增强型MOSFET（即系统中不含有任何电荷状态，在栅电压Vgs 0时，半导体表面的能带为平带状态），阈值电压可给出为VT SiO2层上的电压Vi + 2ψb －[2εεo q Na 2ψb ] / Ci + 2ψb ,式中Vi ≈ 耗尽层电荷Qb / Ci，Qb － 2εεo q Na [ 2ψb ] ，Ci是单位面积的SiO2电容，ψb是半导体的Fermi势（等于本征Fermi能级Ei与Ef之差）。 对于实际的增强型MOSFET，由于金属-半导体功函数差φms 和Si-SiO2系统中电荷的影响, 在Vgs 0时半导体表面能带即已经发生了弯曲，从而需要另外再加上一定的电压——“平带电压”才能使表面附近的能带与体内拉平。 因为金属-半导体的功函数差可以用Fermi势来表示:φms 栅金属的Fermi势ψG － 半导体的Fermi势ψB ,ψb kT/q ln Na/ni ，对多晶硅栅电极 通常是高掺杂 ，ψg≈±0.56 V [+用于p型, －用于n型栅]。而且SiO2/Si 系统内部和界面的电荷的影响可用有效界面电荷Qf表示。从而可给出平带电压为 Vfb φms－Qf /Ci 。 所以，实际MOSFET的阈值电压为VT －[2εεo q Na 2ψb ] /Ci + 2ψb +φms－Qf /Ci 。 进一步，若当半导体衬底还加有反向偏压Vbs时，则将使沟道下面的耗尽层宽度有一定的增厚, 从而使阈值电压变化为：VT －[2εεo q Na 2ψb+Vbs ] /Ci + 2ψb +φms－Qf /Ci 。 在制造MOSFET时，为了获得所需要的VT值和使VT值稳定，就需要采取若干有效的技术措施；这里主要是控制Si-SiO2系统中电荷Qf ：其中的固定正电荷 直接影响到VT值的大小 与半导体表面状态和氧化速度等有关 可达到 1012/cm2 ; 而可动电荷 影响到VT值的稳定性 与Na+等的沾污有关。因此特别需要注意在氧化等高温工艺过程中的清洁度。 *耗尽型MOSFET的阈值电压VT是指刚好夹断沟道时的栅极电压。情况与增强型器件的类似。 （3）对于BJT，阈值电压VTB是指输出电流Ic等于某一定值Ict 如1mA 时的Vbe值。由VTB kT/q ln Ict/Isn 得知：a 凡是能导致Ic发生明显变化的因素 如掺杂浓度和结面积等 ，却对VTB影响不大，则BJT的VTB可控性较好；b VTB 对于温度很敏感，将随着温度的升高而灵敏地降低，则可用VTB值来感测温度。[1] MOS阈值电压VT阈值电压vt是mos晶体管一个显要电型号参数，也是在制造工艺中显要控制型号参数。vt大小对及一致性对电路乃到 电子集成系统性能具有决定性影响。多少因素将对mos晶体管阈值电压值产生影响呢? 阈值电压数学表达式是： 式中±号对nmos管取负号，而对pmos管取正号。 式中 qox 为栅氧化层中固定正电荷密度；qss为栅氧化层中可动正电荷密度；cox为单位面积栅氧化层电容，及栅氧化层厚度tox成反比；qb为衬底掺杂杂质浓度耗尽层中电荷 ，nmos管使用p型硅为衬底，此值为负，pmos管使用n型硅为衬底，此值为正；2φf为决定强反型环境2倍体内费米势， nmos管使用p型硅为衬底，此值为负，pmos管使用n型硅为衬底，此值为正；φms为金属半导体功函数差，铝栅工艺为－0.3v，硅栅工艺为＋0.8v。 可见对铝栅工艺pmos晶体管该式为负值，即增强型pmos晶体管很轻松得到；而为了得到增强型nmos晶体管则条件第3项与第4项的与，大于第1项与第2项的与。第一个影响阈值电压因素是作为介质二氧化硅 栅氧化层 中电荷qss对及电荷性质。这种电荷通常是由几种原因产生，其中一部分带正电，一部分带负电，其净电荷极性显然会对衬底表面产生电荷感应，从而影响反型层形成，或者是使元件耗尽，或者是阻碍反型层形成。qss通常为可动正电荷。 第二个影响阈值电压因素是衬底掺杂浓度。从前面研究可知，