ZnO薄膜的物理质与制备方法研究 - 副本.docVIP

ZnO薄膜的物理性质与制备方法研究 摘要: ZnO为Ⅱ - Ⅵ族半导体材料,是一种极具潜力的新型功能材料。给出了ZnO薄膜的主要物理性能,并对制备方法作了比较详尽的介绍,包括激光脉冲沉积法、磁控溅射法、金属有机物化学气相沉积法、溶胶凝胶法、喷雾热解法、分子束外延法、原子层外延生长法。 关键词: ZnO薄膜;物理性质;制备方法 1　ZnO薄膜的物理性质 氧化锌是一种新型的Ⅱ - Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料,具有六角纤锌矿型晶体结构,图1为ZnO的晶体结构。它是一种直接带宽禁带半导体,有较高的激子结合能( 60 meV) ,通常在ZnO薄膜的形成过程中,会产生O空位和Zn间隙原子[ 1 ] ,这些本征缺陷使得ZnO天然呈现n型导电性,其主要物理性质如表1[ 2 ] 。 如今,随着ZnO 薄膜制备工艺的不断发展、合理的掺杂及共掺杂,极大地拓宽了ZnO半导体材料的应用领域,具备了高导电性能、高导热性能等,同时ZnO来源丰富、价格低廉、毒性小,又具有很高的热稳定性和化学稳定性。这些优点促使氧化锌广泛应用在光电器件、太阳能电池、表面声波器件、非线形光学器件、紫外光探测器、气敏元件、湿敏材料、压敏器件等众多领域中,近些年赢得了很大的关注,成为化合物半导体材料中一个新的研究热点。 2　ZnO薄膜的制备技术 目前, ZnO 薄膜的制备工艺方面已日趋成熟,并且几乎所有的现有制膜技术都可用于生长ZnO薄膜。如上所述, ZnO材料的研究应用涉及许多领域, 很显然,制备技术及工艺参数决定着薄膜的性能,而不同的应用对ZnO薄膜的薄膜厚度、结晶取向、晶粒大小、表面平整度的要求各有区别。应该说,各种制备工艺都有其自身的优缺点,可以根据需要和实验条件作出最佳选择。下面就目前常采用的ZnO 薄膜的制备技术进行比。 2. 1　脉冲激光沉积法( Pulsed LaserDeposition) 激光脉冲沉积( PLD)是一种真空物理沉积方法, 20世纪60年代研究者发现用激束照射固体材料时,有电子、离子和中性原子从固体表面溅射出来在表面附近形成一个发光的等离子区[ 3 ] ,直到20世纪80年代后期,伴随着GW级短波长脉冲准分子激光器的出现,脉冲激光沉积便得到了迅速发展。整个激光脉冲沉积( PLD)过程可以概括分为 4个物理过程: (1) KrF或ArF激光器发出的高能激光与靶相互作用,使材料一致汽化并产生等离子体; (2)等离子体的定向局域等温绝热膨胀发射; (3)激光等离子体与基片表面的相互作用;(4)等离子体在衬底表面凝结成膜。使用该工艺 制备ZnO 薄膜时,可独立调节工艺参数,达到理想的化学计量比,并且薄膜的平整度较高,易于实现多层膜结构的生长,同时还避免了不必要的玷污,保证了纯度,生长出高质量的薄膜。只是由于熔蒸“羽辉”具有很强的定向性,只能在很窄的范围内形成均匀厚度的膜。因此, PLD方法不适于制备大面积厚度均匀的薄膜。 2. 2　磁控溅射法(Magnetron Sputtering) 磁控溅射法被认为是镀膜技术中最成熟的ZnO薄膜制备方法,通常分为直流和射频2 种。该方法是利用荷能粒子轰击靶材,使靶材原子或分子被溅射出来并沉积到衬底表面的一种工艺,以溅射率高、基片温升低、膜- 基结合力好、装置 性能稳定、操作控制方便等优点[ 4 ]受到青睐,成为镀膜工业应用领域(特别是建筑镀膜玻璃、透明导电膜玻璃、柔性基材卷绕镀等对大面积的均匀性有特别苛刻要求的连续镀膜场合)的首选方案。 另外,磁控溅射法可获得高度c轴取向,表面平整度高,可见光透过率较高及低电阻率的薄膜,可应用于表面声波器件的制备。但是在磁控溅射过程中,因为粒子轰击衬底及已生长的薄膜易造成表面损伤,以及部分锌原子与氧没有完全反应 所产生的缺陷等,在目前的技术条件下,仍然比较难生长出ZnO单晶薄膜。 2. 3　金属有机物化学气相沉积(Metal - Organic Chemical VaporDeposition) 金属有机物化学气相沉积的突出特点是有效地制取ZnO单晶薄膜,成为一种非常受重视的研究方法。它是将反应物由气相引入到衬底表面发生反应形成薄膜的一种工艺。一般采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和氧气或水作O源,且极易实现多种掺杂。 MOCVD主要有常压、低压和光增强3 种类型,而数常压MOCVD为最常用的一种气相外延技术。徐步衡[ 5 ]等人用MOCVD法生长的ZnO薄膜:衬底温度160 ℃,二乙基锌(DEZ)的流量为342μmol/min, H2O流量为500μmol/min,反应气压为5 ×133. 32 Pa,掺杂气体为B2H6 ,流量为5sccm,获得低电阻率、方块电阻为40 Ω /□、透过率 85%等稳定光电特性。 MOCVD法生长的ZnO 膜可用于太阳能电池、紫外探测器、SAW 等器件。虽