氢气在金属合金制程中对MOSFET界面态的影响.docVIP

氢气在金属合金制程中对MOSFET界面态的影响 　　【摘 要】金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的界面态影响器件的正常性能发挥。本文采用在合金制程中通入氢气的方法，并通过电荷泵 （Charge Pumping） 技术手段测量定性， 反映氢气在金属合金（Metal Alloy）制程中对界面态的改善作用。实验结果表明界面态密度的降低不仅与合金制程中通氢气的时间有关，而且与氢气的流量也有关。为工艺改进和提升器件成品率，可靠性提供重要参考信息。 　　【关键词】氢气；表面态；电荷泵技术 　　Effect of Pure H2 Metal Alloy on Interface States of MOSFET 　　LIU Jie-wei YU Zhi-fang ZENG Hong-lin 　　（Semiconductor Manufacturing International （Shanghai） Corporation， Shanghai 201203，China） 　　【Abstract】Si-SiO2 Interface states in metal-oxide-silicon field effect transistors （MOSFET） impact device normal performance. We adopt pure H2 metal alloy and use charge pumping measurement to reflect improvement of pure H2 alloy on interface states in MOSFET. In this paper， we present the experimental results on the effect of H2 ambiences on the interface states density reduction and the reduction is not only related with the alloy time， but also related with H2 flow rate. Therefore， the experiment can provide important information for the process optimization， yield and reliability improvement. 　　【Key words】H2；Interface States； Charge pumping 　　0 引言 　　当今世界，微电子技术飞速发展，随着集成电路集成度的不断增加，金属-氧化物半导体器件尺寸不断等比缩小，器件的栅氧化层也变得越来越薄，为了确保金属-氧化物半导体器件的良好特性，对栅氧化层质量的要求也会更高。 随之而来的制造工艺也日渐复杂，在众多的工艺制程中不可避免的会产生界面态（界面陷阱）电荷。制造工艺中界面态的主要来源是氧化层生长工艺，离子注入，等离子体沉积等工艺。 　　界面态位于Si/SiO2界面上；其能量状态分布于禁带内；可以带有电荷；是少数载流子的产生中心和复合中心；可较快地同Si的导带或价带交换电子和空穴（故界面态也曾被称为“快态”）。界面态的主要来源为过剩的Si（三价硅）；断裂的Si-H价键；过剩的氧和杂质、缺陷等。器件的栅氧化层界面态直接影响MOS晶体管的阈值电压、降低MOSFET表面载流子有效迁移率和跨导，从而影响金属-氧化物半导体场效应晶体管超大规模集成电路的成品率和可靠性[1]。 　　对界面态的研究主要通过研究其电学性能来进行， 利用界面陷阱电荷能与硅体内交换电量的性质测量 　　界面陷阱电荷，是各种界面态测量方法的基础。改变MOS电容两端电压的大小和极性，以及硅的表面势，界面态便随着表面势的变化而充、放电、监测充、放电荷或电流，或者监测由于界面态充、放电引起的电导或电容的变化，可测量界面陷阱电荷和界面态密度随能量的分布，测量界面态电荷和界面态密度随能量的分布。最早用于检测界面状况的方法为传统C-V技术[2]， C-V曲线的解释相当复杂，需要建立模型然后利用计算机进行模拟，将模拟结果与测量结果相对照，估算界面态电荷。而电荷泵法[3]是目前公认的使用最为广泛的测试表面态电学特性的方法。在栅极上施加频率为F的周期性三角波信号V，当器件进入反型时，其反型层内少数载流子由源和漏提供，部分少数载流子可能会被界面态陷住。转换栅压使器件处于积累状态时，反型层中载流子将流向源漏而快速消失。界面态上陷住的少数载流子将与来自衬底的多数载流子复合，这种多数载流子的流动就构成了电荷泵电流（Icp）。 　　氢钝化技术是利用原子氢来终结表面