《电子技术》教学纲(2005年计算机、网络工程).docVIP

课程编号： 《电子技术》课程教学大纲 Electronic Technology 总学时：90 学分：4 一、课程简介 1、课程性质：专业方向类必修课 2、开课学期：第三学期 3、适用专业：计算机、网络工程 4、课程修读条件：学生学习本课程之前，应具备微积分、线性常系数微分方程、线性代数、傅里叶级数和积分变换等数学基础，并已初步掌握，。 绪论（2学时） [教学目的]：了解电子系统、信号、频谱等基本概念；理解电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的基本概念；掌握放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、频率响应和非线性失真的主要性能指标。 [教学重点与难点]：电子系统、信号及频谱、放大电路基本概念与模型、放大电路主要性能指标。 信号 信号的频谱 模拟信号和数字信号 放大电路模型 放大电路的主要性能指标 第二章 运算放大器 （4学时） [教学目的]：了解集成运放内部的主要结构、理想运算放大器和电路模型；掌握应用线性电路原理分析由理想运算放大器和电阻、电容等元件构成的简单应用电路。 [教学重点与难点]：理想运算放大器、同相和反相放大电路、求差和求和电路、积分和微分电路。 第一节 集成电路运算放大器 第二节 理想运算放大器 第三节 基本线性运放电路 2.3.1 同相放大电路 2.3.2 反相放大电路 第四节 同相输入和反相输入放大电路的其他应用 2.4.1 求差电路 2.4.3 求和电路 2.4.4 积分电路和微分电路 第三章 二极管及其基本电路 （6学时） [教学目的]：了解本征半导体、空穴及其导电作用；了解P型半导体和N型半导体；了解PN结的形成，掌握PN的单向导电性和V-I特性，理解PN结的反向击穿现象；了解半导体二极管的结构，掌握它的V-I特性和二极管的主要参数；掌握二极管的正向V-I特性建模，并能应用不同的模型分析由二极管组成的不同电路。 [教学重点与难点]：半导体二极管的基本知识、PN结的形成及特性、半导体二极管、二极管正向V-I特性的建模、二极管基本电路分析方法。 第一节 半导体的基本知识 半导体材料 半导体的共价键结构 本征半导体、空穴及其导电作用 杂质半导体 PN结的形成及特性 载流子的漂移与扩散 PN结的形成 PN结的单向导电性 PN结的反向击穿 二极管 二极管的结构 二极管的V-I特性 二极管的主要参数 第四节 二极管基本电路及其分析方法 简单二极管电路的图解分析方法 二极管电路的简化模型分析方法 第四章 双极结型三极管及放大电路基础 （6学时） [教学目的]：了解BJT结构，理解电流分配与放大作用，掌握BJT的输入、输出特性曲线和主要参数;掌握共射极放大电路的工作原理;掌握用图解法来分析放大电路的静态工作点和动态工作情况;熟练掌握用小信号模型法分析共射电路的电压增益、输入电阻和输出电阻;理解温度对静态工作点的影响，掌握射极偏置电路能稳定Q点的工作原理;掌握用小信号模型来分析共集电极电路和共基极电路的分析。 [教学重点与难点]：半导体BJT结构、BJT电流分配与放大作用、BJT特性曲线、BJT主要参数、共射极放大电路、BJT图解分析法、小信号模型分析法、放大电路工作点稳定问题。 BJT BJT的结构简介 放大状态下BJT的工作原理 BJT的的V-I特性曲线 BJT的主要参数 基本共射极放大电路 基本共射极放大电路的组成 基本共射极放大电路的工作原理 第三节 放大电路的分析方法 图解分析法 小信号模型分析法 第四节 放大电路静态工作点的稳定问题 4.4.1　温度对静态工作点的影响 4.4.2　射极偏置电路 第五节　共集电极放大电路和共基极放大电路 4.5.1　 共集电极放大电路 4.5.2　 共基极放大电路 第五章 场效应管放大电路（6学时） [教学目的]：掌握MOSFET的工作原理和特性曲线以及各种FET的特性比较；掌握JFET的工作原理、特性曲线和主要参数；掌握FET的静态工作点的确定和用小信号模型来分析FET放大电路。 [教学重点与难点]：金属-氧化物-半导体场应管结构与工作原理、结型场效应管结构与工作原理、JFET的特性曲线及参数、场效应管放大电路、JFET小信号模型分析法。 金属－氧化物－半导体（MOS）场效应管 N沟道增强型MOSFET N沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET MOSFET的主要参数 第二节　MOSFET的放大电路 第三节 结型场效应管（JFET） 5.3.1　JFET的结构和工作原理 5.3.2　JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 第六章　模拟集成电路 （4学时） [教学目的]：理解BJT或FET电流源；熟练掌握用BJT和FET组成的差分放大电路的工作原理和主