三端双向可控硅进行可靠操作的设计规则-151207汇编.doc

三端双向可控硅进行可靠操作的设计规则 ——151207 1，正确触发 要打开一个双向可控硅开， 栅极电流的振幅： 门极电流（IG）要比指定的最大门触发电流高得多 IGTmax 。此参数是温度Tj 25度时给定的。 在较低的温度下，用曲线表现为门极触发电流随温度的相对变化。设计预期的最低工作温度的栅极驱动。高IG值提供了一个高效2）。 作为一个实际的原则，我们建议： 这里： VDD min minimum value of the power supply VDD 最小 电源电压的最小值 VOL output voltage of the microcontroller at 0 logic level VOL 微处理器的输出电压 VG voltage across the gate of the triac. Take the specified VGT. 在双向晶闸管的栅极电压。采取指定的VGT IG required gate current IG 2. IGT max 所需的栅极电流 栅极电流持续时间： （对于ON-OFF开关） 采用栅电流Ig直到负载电流达到闭锁电流（IL） 建议使用连续的栅极直流电流，避免流过的负载电流 IT 50 or 100 mA 低于维持电流和擎住电流而引起电流的不连续性。 象限： 在新的项目中， 2，平滑导通 当可控硅导通，确保了通态电流上升率不超过规定的最高值。 如果di / dt的超过规定值然后栅区周围的电流密度过高时，高重复性的di / dt可能引起硅晶片的逐步退化， 在大多数情况下开关零电压大大降低了di / dt和浪涌电流。 提醒： 一个强大的栅极电流提高了可控硅的di / dt的能力，并IG IGT at least 2 or 3 times IGT max，至少2或3倍IGT max 。 在三端双向可控硅RC网络的情况下，di / dt。 我们推荐： *在门极两端不要使用电容。 该电容显著降低di / dt的能力此外，这种电容并不能改善静态dv / dt特性 图2 为了尽量减少在打开时的di / dt的应力： R必须是大于47Ω更高 不能并接栅极电容（CGK） 3，导通状态可靠工作 控制持续结温 Tj Tj max specified（指定最大结温） 在任何时刻，关键是要知道流过器件的电流，和因此而产生的功耗。 功耗（P）： P f ITRMS 曲线。 由下面的公式计算最大耗散功率： 这里：Vto threshold voltage of on-state V refer to the datasheet characteristic Vto是导通状态的电压阀值特性（参考数据手册） Rd dynamic on-state resistance refer to the datasheet Rd是通态动态电阻（参考数据手册） ITRMS current through the triac ITRMS 通过可控硅的电流 无散热器的操作： 三端双向可控硅是在印刷电路板上直接安装没有任何冷却装置。 这里： Tamb是最大环境温度； Rth j-a 是规定的结到环境的热阻（参考数据手册） P是双向可控硅导通时的耗散功率 在这些条件下，可控制负载电流低于2安培。 有散热器时的操作： 在这里：Tamb是最大环境温度； Rth j-c 是结到壳的热阻 参考数据手册 ； Rth c-hs 是外壳到散热器的热阻； 例如：对于TO-220封装的Rth（C-HS）≤0.5/W （导热硅脂 Rth hs 是散热器的热阻； P是可控硅导通时的耗散功率； 4，安全关闭 为了保证安全关闭操作（无重复触发的风险），首先以通过应用电路的最大 dI/dt c来选择元件。 1——标准可控硅与灵敏可控硅的情况： 监测 di/dt c是不够的。在电感负载情况下，必须用RC缓冲网络把重复 dV/dt c的值限制在规定的值（看图3）。 图3 dV/dt c限制于缓冲 最大允许值的范围一般是1 to 20 V/μs（参考数据手册） RC的实际计算关系式： 这里： Va是可控硅关断后的线电压 Va VM . sinφ . L是负载电感 dV/dt c是规定的最小值 2——无缓冲双向可控硅的情况 仅检查最大的 dI/dt c指定值。换向性能没有给出 dV/dt c限制。必须是没有RC网络。 温馨提示： 当电流为正弦波（一般情况下）时的 dI/dt c是： 这里： ITRMS是通过负载的RMS; F是电源频率。 在50HZ， dI/dt c是： 示例：对于一个8 A RMS正弦电流通过负载， dI/dt c 3.5 A /ms； 注意：