五邑大学电工与电子技术课件第10章汇编.pptVIP

10.4 半导体三极管 10.4.1 基本结构 各种半导体三极管的外型图 按结构分类： NPN PNP 10.4.2 载流子分配及电流放大原理 10.4 半导体三极管 共射极放大电路 放大条件 内部条件 ①发射区掺杂浓度最高 ②基区很薄 ③集电结面积大 外部条件 ①发射结结正偏 ②集电结反偏 输入 输出 各极电流（mA） 测量结果 IB -0.001 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IC 0.001 0.01 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IE 0 0.01 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 10.4 半导体三极管 实验数据分析： ① IE = IC + IB ② ③ 10.4 半导体三极管 半导体三极管内部载流子的运动： 10.4 半导体三极管 半导体三极管内部载流子运动示意图 三个结论： (1)发射极电流IE、基极电流IB、集电极电流IC的关系是IE = IB + IC； 载流子运动过程： ①发射结正偏：发射区发射电子到基区 ②少量电子在基区与空穴复合，大部分运动到集电结； ③集电结反偏：集电区收集电子。 (2)集电极电流IC、基极电流IB的关系是IC =βIB ； (3)晶体管的电流放大作用，实质上为晶体管的控制作用，即较小电流IB控制大电流IC。 10.4 半导体三极管 10.4.3 特性曲线 1．输入特性曲线 输入特性曲线是指当集-射极电压UCE为常数时，输入回路（基极回路）中基极电流IB与基-射极电压UBE之间的关系曲线，即 输入特性曲线 特点： ① UCE≥1曲线重合； ② 当UBE小于死区电压时，IB=0，三极管截止；当UBE大于死区电压时，三极管导通，IB随UBE快速增大。发射结导通电压为 硅管： 锗管： 测试电路 10.4 半导体三极管 2．输出特性曲线 输出特性曲线是指当基极电流IB为常数时，输出电路（集电极回路）中集电极电流IC与集-射极电压UCE之间的关系曲线，即 测试电路 输出特性曲线 特点： ① 当IB一定时，在UCE = 0～1V区间，随着UCE的增大，IC线性增加。当UCE超过1V后，当UCE增高时，IC几乎不变，即具有恒流特性； ② 当IB增大时，IC线性增大，远大于IB，且IC受IB控制，这就是晶体管的电流放大作用的表现。 饱和区：IB增加，IC小于 IB， IC ≠ IB， 晶体管失去电流放大作用。饱和时，电压∣UCE∣=0.2～0.3V（锗管为0.1～0.2V），数值很小，近似为零，晶体管的C、E极之间相当于一个闭合的开关 。 10.4 半导体三极管 输出特性曲线 ③ 通常把晶体管的输出特性曲线分为三个工作区： 输出特性曲线的三个工作区 放大区：IC与IB基本上成正比关系，即 IC= IB，发射结为正偏，集电结为反偏； 截止区：IB=0，即 IC=ICEO≈0，发射结为反偏，集电结为反偏；晶体管的C、E极之间相当于一个断开的开关； 10.4 半导体三极管 10.4.4 主要参数 1．共射极电流放大系数β和β 说明： 共发射极静态（又称直流）电流放大系数 共发射极动态（又称交流）电流放大系数 (2)晶体管的b 值在20～200之间。 10.4 半导体三极管 2．集-基极反向饱和电流ICBO ICBO是当发射极开路（IE = 0）时的集电流IC，是由少数载流子漂移运动（主要是集电区的少数载流子向基区运动）产生的，它受温度影响很大。 注意：在室温下，小功率锗管的ICBO约为几微安到几十微安，小功率硅管在1μA以下。 3．集-射极穿透电流ICEO ICEO是基极开路（IB = 0）时的集电极电流IC ，且 注意：温度升高时，ICBO增大，ICEO随着增加，集电极电流IC亦增加， 且β值亦不能太大，一般 为50~100。 10.4 半导体三极管 4．集电极最大允许电流ICM 集电极电流IC超过一定值时， 值要下降。ICM为晶体管 值下降到正常值2/3时的集电极电流。 5．集-射极击穿电压BUCEO BUCEO为基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，当超过此值时，晶体管集电结会被击穿而损坏。 6．集电极最大允许耗散功率PCM PCM为当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率。PCM主要受晶体管的温升限制，一般来说锗管允许结温为70℃～90℃，硅管约为150℃。 由PCM 、ICM 和BUCEO 围成的区域称为三极管的安全工作区 ICM BUCEO 10.4 半导体三极管 【例10.4