实验27光电传感器实验.docVIP

实验27 光电传感器实验 一、【实验目的】 了解光电二极管和光敏电阻的特性. 掌握光敏电阻的运用 【实验仪器】 光电模块,主控箱,万用表,0 ~ 20mA恒流源。 二、【实验原理】 1、光电效应 光敏传感器的物理基础是光电效应，在光辐射作用下电子逸出材料的表面，产生光电子发射称为外光电效应，或光电子发射效应，基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。电子并不逸出材料表面的则是内光电效应。光电导效应、光生伏特效应则属于内光电效应。即半导体材料的许多电学特性都因受到光的照射而发生变化。光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类，几乎大多数光电控制应用的传感器都是此类，通常有光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等。 （1）光电导效应 若光照射到某些半导体材料上时，透过到材料内部的光子能量足够大，某些电子吸收光子的能量，从原来的束缚态变成导电的自由态，这时在外电场的作用下，流过半导体的电流会增大，即半导体的电导会增大，这种现象叫光电导效应。它是一种内光电效应。 光电导效应可分为本征型和杂质型两类。前者是指能量足够大的光子使电子离开价带跃入导带，价带中由于电子离开而产生空穴，在外电场作用下，电子和空穴参与电导，使电导增加。杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带，从而使电导增加。杂质型光电导的长波限比本征型光电导的要长的多。 （2）光生伏特效应 在无光照时，半导体PN结内部自建电场。当光照射在PN结及其附近时，在能量足够大的光子作用下，在结区及其附近就产生少数载流子（电子、空穴对）。载流子在结区外时，靠扩散进入结区；在结区中时，则因电场E的作用，电子漂移到N区，空穴漂移到P区。结果使N区带负电荷，P区带正电荷，产生附加电动势，此电动势称为光生电动势，此现象称为光生伏特效应。 三、【实验内容和要求】 1、光敏电阻的特性测试 图1 1.1光敏电阻的伏安特性测试 （a）按实验仪面板示意图接好实验线路，光源用标准钨丝灯将检测用光敏电阻 装入待测点，连结+2--+12V电源，光源电压0--24V电源（可调）。 （b）先将可调光源调至一定的光照度， 每次在一定的光照条件下，测出加在光敏电阻上电压 为+2V；+4V；+6V；+8V；+10V；+12V时电阻R1两端的电压UR，从而得到6个光电流数据，同时算出此时光敏电阻的阻值，即。以后调节相对光强重复上述实验（要求至少在三个不同照度下重复以上实验）。 （c）根据实验数据画出光敏电阻的一族伏安特性曲线。 表1 光敏电阻伏安特性测试数据表（照度：500LX ） 电压（伏） 2 4 6 8 10 12 UR（伏） 1.60 3.19 4.80 6.38 7.96 9.54 电阻（欧姆） 250 254 250 254 256 258 光电流 1.60×10-3 3.19×10-3 4.80×10-3 6.38×10-3 7.96×10-3 9.54×10-3 表2光敏电阻光照特性测试数据记录表（偏置电压： 10v ） 刻度数（cm）（为取样电阻），以后逐步调大相对光强（3次），重复上述实验。 表3光敏二极管伏安特性测试数据表（R1 1.00KΩ） 电压（伏） 2 4 6 8 10 12 UR（伏） 1.37 3.27 5.52 7.19 9.16 11.11 电阻（欧姆） 460 223 87 113 92 801 光电流 0.00137 0.00327 0.00552 0.00719 0.00916 0.001111 表4光敏二极管光照特性测试数据表（偏置电压： 8v ） 刻度数（cm） 1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 UR（伏） 1.00 0.45 0.24 0.15 0.12 0.11 0.12 0.14 0.15 光电流（A）光敏电阻和光敏二极管相比，光敏电阻内部的光电效应和电极无关（光电二极管才有关），即可以使用直流电源，灵敏度和半导体材料、以及入射光的波长有关，环氧树脂胶封装，可靠性好， 体积小， 灵敏度高，反应速度快，光谱特性好。但是光敏电阻受温度影响较大，响应速度不快，在ms到s之间，延迟时间受入射光的光照度影响（光电二极管无此缺点，光电二极管灵敏度比光敏电阻高）最后光敏电阻是耗材。?