CTP制程28918学习资料.pptVIP

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2016-09-25 发布于江苏
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CTP制程28918学习资料.ppt

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Touch Panel Structure Touch Panel Process Flow 蝕刻目的: 經過顯影后的基板,利用相對應的化學試劑將裸露在表面的材料移除掉,以達到設計需求的pattern. Stripper 原理: DVP (Developer) 顯影效果確認: 顯影過程中其化學反應速度隨藥液濃度的改變,顯影溫度的改變而改變,同時其顯影效果隨噴淋方式而變化. Glass PR PR Glass PR PR PR Glass PR PR PR Glass 正常顯影不完全顯影顯影不足顯影過度 Post Baker (硬烤) 目的：將光阻內最後的溶劑趕走,使光阻定型,並將顯影清洗後基板表面殘留的水氣烤乾. Etching (蝕刻) Chemical: Al 酸?移除金屬鋁膜王水?移除氧化銦錫膜藥液均勻的噴灑在基板表面上 Innolux Confidential 審核 : 製作 : 核准 : CTP Process Introduction A Display Company of the Foxconn Group 2009/8/15 2002/8/14 Prepared by Clio Tseng Glass TOP ITO Pad TOP Metal Touch panel TOP SiO2 TOP Organic Bottom ITO Pad Bottom SiO2 DITO TP structure: Glass TOP ITO Pad TOP Metal Touch panel TOP Organic Bottom ITO Pad Bottom SiO2 350C 350A / 350B GLASS 電容式TP for layer 特性保護層防止 Critical layer 刮壓傷　　 PF(SM) 保護層防止 Critical layer 刮壓傷,製程後會Peeling 去除掉　　 SM 低介電係數需求, 介電係數~3.5(保護 Fan-out line) 2.3 + 0.3 um 2.3 + 0.3 um Organic 絕緣層 500 + 150 A / 90% 500 + 150 A / 90% SiO2 Fan-out line 4000A Mo/Al/Mo-4000A Metal AA 區(高溫 ITO製程) 165 + 35 A / 88% 165 + 35 A / 88% ITO Comment B ( Sensor side ) A ( Drive side ) 　電容式 TP 各 layer 特性 GLASS-0.5mm ITO- 165 + 35 A / 88% ITO- 165 + 35 A / 88% Mo/Al/Mo-4000A SiO2- 500 + 150 A / 90% SiO2- 500 + 150 A / 90% PF(SM) PF(SM) Organic-2.3 + 0.3 um 烘烤 Cleaner Pre-Bake Post-Bake Developer Exposure b.ITO A e.MET c.ITO B Metal Sputter INC ITO Sputter a.ITS d.MES f.SIS PDC PDC g.ORG Cleaner Slit-Coater Pre-Bake Develop Exposure Oven PR coater Cleaner Pre-Bake Post-Bake Developer Exposure ITO Etching Stripper PR coater Cleaner Pre-Bake Post-Bake Developer Exposure PR coater Metal Etching Stripper Cleaner Pre-Bake Back Side PR SiO2 Sputter (with metal mask) AOI / 4 point probe / cary300 / Ellipsometer / Adhesion test / Marco AOI / contact angle AOI / MCD / a-step(光阻厚度) / Marco AOI / a-step(光阻厚度) / Marco AOI / MCD / Resistance meter / Marco AOI / MCD / a-step(光阻厚度) / Marco AO