晶体管原理(4-5)可研报告.pptVIP

4.5 MOSFET 的直流参数与温度特性 4.5.1 MOSFET 的直流参数 1、阈电压 VT 2、饱和漏极电流 IDSS 此参数不是一般的 IDsat ，它只适用于耗尽型 MOSFET ，表示当 VGS 0 时的 ID ，即： 4、通导电阻 Ron Ron 表示当 MOSFET 工作于线性区，且 VDS 很小时的沟道电阻。当 VDS 很小时，ID 可表示为 3、截止漏极电流 此参数只适用于增强型 MOSFET，表示当 VGS 0 ，外加VDS PN 结反向电流引起的微小电流。 5、栅极电流 IG 表示从栅极穿过栅氧化 层到沟道之间的电流。栅极电流 IG极小，通常小于 10-14 A 。 1 、阈电压与温度的关系 上式中与温度关系密切的只有 ， 4.5.2 MOSFET 的温度特性 无论 N 沟道还是 P 沟道， 约为每度几个 mV，所以 温度对于阈电压的影响不是很大。 用同样的方法可以得到 P 沟道 MOSFET 的阈电压与温度的关系，并且得到 ，所以 P 沟道 MOSFET 的阈电压具有正温系数。 因 ， ，又已知 N 沟 MOSFET 的 所以 的正负取决于 ID 的大小，也即（VGS –VT ）的大小。 2 、漏极电流与温度的关系 上式中与温度关系密切的有 与 。 1 当（VGS –VT ）较大时， 3 令 ，可解得： 2 当（VGS –VT ）较小时， 当满足上式时，漏极电流的温度系数为零，温度对漏极电流无影响。对 P 沟道 MOSFET 也可得到类似的结论。 总的说来，MOSFET 有较好的温度稳定性。 a 漏 PN 结雪崩击穿 由于在漏与栅之间存在 附加电场，使 MOSFET的漏源击穿电压远低于相同掺杂和结深的 PN 结雪崩击穿电压。当衬底掺杂浓度小于 1016 cm-3 后，BVDS 就主要取决于 VGS 的极性、大小和栅氧化层的厚度 TOX 。 1、漏源击穿电压 BVDS 4.5.3 MOSFET 的击穿电压 b 源、漏之间的穿通 略去 Vbi 后得： 可见，L 越短，NA 越小，Vpt 就越低。由于沟道区掺杂远低于源漏区，所以穿通现象是除工艺水平外限制 L 缩短的重要因素之一。 由于 MOS电容上存贮的电荷不易泄放，且电容值很小，故很少的电荷即可导致很高的电压 ，使栅氧化层被击穿 。由于这种击穿是破坏性的，所以 MOSFET 在存放与测试时，一定要注意使栅极良好地接地。 2、栅源击穿电压 BVGS BVGS 是使栅氧化层发生击穿时的 VGS 。