射频通信电路预备基础知识汇编.ppt

射频电路元器件及特性 金属导线的趋肤效应 Characteristic line impedance as a function of w/h. 传输线特性阻抗与结构, 材料特性的关系 Effect of conductor thickness on the characteristic impedance of a microstrip line Characteristic impedance Zo ranges for the various structures Structure Zo Ω Microstrip 20-125 Inverted microstrip 20-130 Trapped inverted microstrip TIM 30-140 Suspended stripline 40-150 Coplanar waveguide CPW 40-150 Slotline 60-200 Finline 10-400 Imageline ≈26 无损传输线特性 电压波/电流波沿无损传输线传播无衰减! 无损传输线特性阻抗 无损传输线传播常数 无损传输线上电压波/电流波特性 端接负载传输线的输入阻抗 电压反射系数 电压/电流波空间分布特性 无耗传输线情况下 另一坐标系统下 端接负载传输线的输入阻抗 驻波及驻波比 SWR/VSWR 驻波特性 Standing wave pattern for various instances of time 驻波比 SWR/VSWR SWR is a measure of mismatch of the load to the line SWR 1 matched SWR very large mismatch----total mismatch 特殊情况分析与讨论 1. 一端口短路传输线的输入阻抗 Short Load 一端口短路传输线的输入阻抗与传输线长度关系 Voltage, current, and impedance as a function of line length for a short circuit termination. * 蔡竟业 jycai@uestc.edu.cn 第0章 射频电路预备基础知识 电子科技大学 蔡竟业 本章主要介绍射频电路元器件及特性, 传输线特性分析等方面的基础知识 一、 射频电路元器件种类 有源器件: Vacuum/Solid-State Diode,Transistor 无源器件: Resistor, Capacitor, Inductor, Transimision Line ，Crystal Resonator Three-terminal Transistors: Material: Si/CMOS/GaAs/InGaAs/InP/SiGe//SiC/GaN Structures: BJT/HBT /MESFET/HEMT/PHEMT Catalog: Si BJT, ft 50GHz, SiGe HBT, ft 100GHz GaAs/InP PHEMT, ft 150GHz, GaN HEMT:ft 280GHz 有源固态器件 Two-terminal Diodes: Si/GaAs/GaN Gun/IMPATT 封装型有源固态器件 无源器件 封装型无源器件 集成电路芯片中的无源器件 裸芯片 Die 二、 无源器件的射频特性 No ideal lumped elements in RF anymore ! 无源器件有什么样的射频特性/特点？分布特性！ – Ideal R is frequency independent – Ideal inductor: – Ideal capacitor: Conventional Lumped Circuit Analysis 例1：电感元件特性 Current and voltage vary spatially over the component size。 分布特性！ E or V and H or I fields 电感线圈 电感线圈的 等效电路模型 电感线圈的频率特性 电阻元件的等效电路模型 SMT电阻元件 0201/0402 /0603…. /CrN MMIC 电阻 Abs Z of a thin-film resistor as a function of frequency SMT电容元件 0201/ 0402/0603…. /MIM电容 电容元件的等效电路模型 Abs Z of a MIM/SMT Capacitor as a function of fr