纳米电子器件输运理论-隧穿理论技术总结.pptVIP

* 7.2.3 隧穿电流 对于RTD结构，为了计入空间电荷的作用，必须使用类似的自洽方法。在一定偏置条件下，电荷层形成一个偶极层，包括阱中自由电荷积累，也包括在发射极的一边邻近双势垒结构的电荷累积层。 可是，与量于阱的情况不同RTD是一个开放结构，在边界上波函数并不为零。开放系统，粒子从微观系统进人或者逸出，到达宏观外部电路，外电路被看做对于发射和吸收是理想的电子库。因此，必须仔细确定这种系统的边界条件以及与单粒子归一化波函数联系的统计权重，以便保证电荷守恒，并且给出电子库适当的态密度。 * 7.2.3 隧穿电流 对于一个开系统不可能在纯量子力学框架下得到求解公式。因此，非平衡统计力学在系统描述上起到重要的作用。 在超出以上所采用的简单矩形势垒近似的情况下，仍然能够假设势垒的左边和右边，在远离隧穿区域的某些点能达到平缓能带的条件。存在某些点可以作为系统的边界。使结构内部解与边界处接触区域的渐进平而波相匹配。在内部，不仅有由于能带的不连续而产生的电势，而且也有由于自由电荷和电离的施主产生的电势。 * 3.2.4 量子化电荷隧穿 本章前面一部分用散射矩阵描述隧穿。历史上，建立在转换或者隧穿哈密顿量基础上的方法也同样成功地应用于隧穿问题。这种技术曾经广泛用于描述超导隧道结的输运。现在这种方法已成为描述包括库仑阻断效应的小隧道结输运的基本理论方法。 1.隧穿哈密顿 * 3.2.4 量子化电荷隧穿 在隧穿哈密顿方法中。隧道势垒作为对于比较大(包括电极)系统的微扰。可以通过时间相关的微扰论计算从左边到右边(以及从右边到左边)粒子转移速率来描述隧穿电流。因此，仅当微扰充分小时，这种描述方法才是正确的。 平面矩形势垒中应用转移哈密顿方法的模型如图7.12所示。左、右两个子系统表示没有受到扰动的系统，没有受到扰动之前这两个子系统互相独立。 * 3.2.4 量子化电荷隧穿 图7.12示意的子系统，左边没有受到扰动的子系统为x0的半空间，右边为xd的半空间。如果势垒所占据的区域远小子两边子系统的区域，就可以忽略掉其所占空间的影响。而仅考虑它对两边子系统的影响:势垒对系统的影响就可以看做有可能在一边产生(或湮灭)一个粒子，而在另一边湮灭(或产生)一个粒子。 图7.12 说明在隧穿哈密顿量的方法中系统可以被分解为两个独立系统的单势垒结构示意图 * 3.2.4 量子化电荷隧穿 式中左边和右边的哈密顿量可以认为是近自由状态的哈密顿量，满足如下本征值方程 (7.104) 可以用隧穿哈密顿量描述势垒对系统的影响。系统的总哈密顿量写为 * 3.2.4 量子化电荷隧穿 如果把(7.104)式的哈密顿量写成二次量子化的形式，隧穿哈密顿量的意义变得非常明显 式中，ck+和ck分别是势垒左边和右边独立多粒子体系费米子的产生和湮灭算符下面的配对算符为粒子数算符 式（7.107）第一项是在左边湮灭一个波矢为kl的粒子，右边产生一个波失为kr的粒子。因此，这个过程为从左边到右边隧穿过程，第二项为相应的逆过程。 (7.107) （隧穿哈密顿量） * 3.2.4 量子化电荷隧穿 势垒对系统性能影响比较小，可以将隧穿哈密顿量(7.107)式看做微扰。就可以用微扰论处理隧穿间题。进一步假设隧穿事件发生之前电荷平衡已建立起来。在这样定义的态上可以进行平衡态微扰论计算。另一方面，这一假设意味着两次隧穿过程之间的时间应该大于电荷弛豫时问。这样，隧穿率就可以用时间相关的微扰论计算。例如用黄金规则计算从势垒一边的某一个初态到另一边的终态的跃迁。计算隧穿率的费米黄金规则公式为 Thank you * * 7.2.1 隧穿的波函数描述方法 (7.43)右边第一个括号是M矩阵的行列式，对于对称矩形势垒，如前所讨论的，它等于1。这样整个透射系数为 式中，T1和R1分别为单对称势垒的透射和反射系数。 当 时，总透射系数最小，对应非共振情况，此时有 (假设单势垒的透射系数远小于1) （7.50） * 7.2.1 隧穿的波函数描述方法 当余弦函数为零的时候，产生共振。在对称势垒的情形，透射系数趋于1，即 这表明在一个窄的能量范围，穿透系数可以达到1。 共振能级可以认为是两个势垒之间形成的有限深阱中的准束缚态能级。当入射电子能量与这些准束缚态能级之中的一个对准时，电于的波就发生明显的透射。在共振时，电于的波在两个势垒之间以相干的方式来回反射。入射波激发共振能级，直至达到一个稳态。在该态入射波与出射波达到平衡，总的透射概率是1。 * 7.2.1 隧穿的波函数描述方法 为了用以上的结论说明共振隧穿二极管，图7.5给出三个不同宽度的对称GaAs/AlAs双势垒透射系数的计算结果。 图