纳电子学与纳米系统技术总结.ppt

纳电子学与纳米系统 纳电子学的范围 半导体器件的特征时间与结构。 新的预测预计： MOS晶体管的最小沟道长度为10nm数量级； 低于这个尺寸，量子电子器件（ＱＥＤ）和介观器件将开始取代ＭＯＳ晶体管。 更高集成度的发展集中在以下两个方面： 　　第一，新的物理效应（例如小尺寸产生的量子效应）器件将取代传统的晶体管； 　　第二，由于传统结构的效率减低，单芯片上数量巨大的器件要求新的系统概念。新系统的结构必须考虑容错、自组织和适应大的应用条件的变化。 微电子机械系统（ＭＥＭＳ） 微机械结构腐蚀（a）传统腐蚀方法；（b）各向异性选择腐蚀 特殊腐蚀方法： 第一，各向异性选择腐蚀，即沿不同晶向有不同的腐蚀速率，从而得到形状完好的沟道； 第二，腐蚀速度取决于各层的掺杂浓度，因而易于终止腐蚀。 集成光电子学 光子学 特性： 1、用光波编码的信息能快速地传输和易于并行处理； 2、光信息处理能在只占很小体积的低功耗集成电路中进行。 缺点及困难： 1、信息的存储和放大方面存在着困难； 2、不容易放大、不能解决扇出问题、电路元件的输入输出偏离以及双稳态元件实现困难。 集成光学 利用缩小的光路产生光信号，通过波导传导并利用响应的物理效应对其进行处理，最后由传感器探测。 光电集成电路（ＯＥＩＣ）基本原理 光子电路对于复杂的连接结构具有特殊的意义 高度并行处理能力； 光波不需要电导体； 光子电路具有很强的抗电磁干扰能力； 光波有很高的频率特性，适用于大量的数据传输。 　　　——一根光纤能达到５００００ＧＨｚ的带宽 智能微尘 智能微尘及其组成 * 图中表明了半导体的特征时间相对于器件的结构尺寸。这些时间与不同的物理效应相关联。红色区域（各种IC、突变结、传输的不规则性）覆盖了当今微电子学的范围。红色区域以外的是纳电子学和分子电子学的范围，其特征时间和特征尺寸分别小于1ps和10nm。 大多数纳电子器件的功能处在上述的范围，所以必须考虑电子的波动特性。如果不断的减小结构的尺寸，就会达到原子和分子的范围。如果一个纳电子器件只有一维结构尺寸处在这个范围内，我们称之为介观器件（mesoscopic device）。由于热能的干扰影响，许多量子器件工作在低温的条件下。然而，这些量子效应随器件的特征尺寸的减小而增大。因此，当工作在室温时器件必须非常小，这是纳电子电路的关键。 * 　　除了几个纳米数量级的小尺寸结构之外，还有另一个重要的问题：集成纳电子系统的高度复杂性。现代微电子系统在单个芯片上包含的器件数可达１亿个。纳电子学将把这个数目推至１０亿个，甚至更多。主要的问题不仅在于器件的数量巨大，还在于系统的开发时间和测试时间。另一种重要观点是，在于选择各子系统之间有效相互作用的结构。 　　微电子电路中关于复杂性的更有意义的例子是集成电路的布线问题。要使信号线或总线的长度减至最短是一个非常复杂的问题。 　　以上这些问题的解决将推动纳电子学的发展。 * 　　复杂ＶＬＳＩ系统的一个有意义的发展前景就是多样化的微电子机械系统（也称为微机电系统）。由于ＭＥＭＳ为纳米电子技术与目前应用微电子技术提供了复杂的接口，ＭＥＭＳ也必须促进纳电子机械系统（ＮＥＭＳ）的发展。 显然对于微机械结构的几何尺寸的实现，用传统加工的精度是无法做到的。在过去，微机械是利用了硅的优良特性。因为硅属于备受关注的材料，是研究最广泛、认知最深刻、技术最成熟的材料、由于硅的强度比钢的更好，因而小且复杂的微型结构都可用硅制作，且使用寿命长。 微机械器件的实现用了一种特殊的腐蚀方法。首先，此技术运用了一种各向异性选择腐蚀，即沿不同晶向有不同的腐蚀速率，从而得到形状完好的沟道；第二，腐蚀速度取决于各层的掺杂浓度，因而易于终止腐蚀。这种工艺利用氮化硅和二氧化硅层来做掩膜和电气绝缘。 上图给出了采用此腐蚀技术得到的结果的示意图，各向异性选择腐蚀形成沿晶轴的侧墙，此例中用的是100晶向的硅材料。由于硼重掺杂层的出现使蚀刻终止于此层，可得到一个平底沟道。沟道尺寸由基底顶部的硅氧化窗口确定。 * * 　　把各种光子和电子元件集成在同一衬底上，除了要解决元件结构和工艺技术的兼容性外，还要选择满足两种元件性能要求的材料。为了使不同材料互补，按要求进行优化组合，又发展出一种复合衬底材料，即利用异质外延技术，在一种衬底材料上外延另一种衬底材料薄膜，如在硅片上异质外延砷化镓单晶薄膜，在衬底的硅面制作电子元件，在砷化镓薄膜上制作光子元件。其优点是可以把硅的大规模集成电路技术与砷化镓的光子元件技术结合，改善导热性能，降低成本，提高集成度。除在硅面上异质外延砷化镓外，还可在砷化镓晶片