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頁次 英文名稱 中文名稱 1 Active Area 主動區（工作區） 2 ACETONE 丙酮 3 ADI 顯影後檢查 4 AEI 蝕刻後檢查 5 AIR SHOWER 空氣洗塵室 6 ALIGNMENT 對準 7 ALLOY/SINTER 熔合 8 AL/SI 鋁/矽 靶 9 AL/SI/CU 鋁/矽/銅 10 ALUMINUN 鋁 11 ANGLE LAPPING 角度研磨 12 ANGSTROM 埃 13 APCVD（ATMOSPRESSURE） 常壓化學氣相沈積 14 AS75 砷 15 ASHING，STRIPPING 電漿光阻去除 16 ASSEMBLY 晶粒封裝 17 BACK GRINDING 晶背研磨 18 BAKE, SOFT BAKE, HARD BAKE 烘烤，軟烤，預烤 19 BF2 二氟化硼 20 BOAT 晶舟 21 B.O.E 緩衝蝕刻液 22 BONDING PAD 銲墊 23 BORON 硼 24 BPSG 含硼及磷的矽化物 25 BREAKDOWN VOLTAGE 崩潰電壓 26 BURN IN 預燒試驗 27 CAD 電腦輔助設計 28 CD MEASUREMENT 微距測試 29 CH3COOH 醋酸 30 CHAMBER 真空室,反應室 31 CHANNEL 通道 32 CHIP ,DIE 晶粒 33 CLT（CARRIER LIFE TIME） 截子生命週期 34 CMOS 互補式金氧半導體 35 COATING 光阻覆蓋 36 CROSS SECTION 橫截面 37 C-V PLOT 電容,電壓圓 38 CWQC 全公司品質管制 39 CYCLE TIME 生產週期時間 40 CYCLE TIME 生產週期時間 41 DEFECT DENSITY 缺點密度 42 DEHYDRATION BAKE 去水烘烤 43 DENSIFY 密化 44 DESCUM 電漿預處理 45 DESIGN RULE 設計規範 46 EDSIGN RULE 設計準則 47 DIE BY DIE ALIGNMENT 每FIELD均對準 48 DIFFUSION 擴散 49 DI WATER 去離子水 50 DOPING 參入雜質 51 DRAM , SRAM 動態,靜態隨機存取記憶體 52 DRIVE IN 驅入 53 E-BEAM LITHOGRAPHY 電子束微影技術 54 EFR（EARLY FAILURE RATE） 早期故障率 55 ELECTROMIGRATION 電子遷移 56 ELECTRON/HOLE 電子/ 電洞 57 ELLIPSOMETER 橢圓測厚儀 58 EM（ELECTRO MIGRATION TEST） 電子遷移可靠度測試 59 END POINT DETECTOR 終點偵測器 60 ENERGY 能量 61 EPI WAFER 磊晶晶片 62 EPROM ERASABLE-PROGRAMMABLE ROM） 電子可程式唯讀記憶體 63 ESD ELECTROSTATIC DAMAGE ELECTROSTATIC DISCHARGE 靜電破壞靜電放電 64 ETCH 蝕刻 65 EXPOSURE 曝光 66 FABRICATION（FAB） 製造 67 FBFC（FULL BIT FUNCTION CHIP） 全功能晶片 68 FIELD/MOAT 場區 69 FILTRATION 過濾 70 FIT（FAILURE IN TIME） 71 FOUNDRY 客戶委託加工 72 FOUR POINT PROBE 四點偵測 73 F/S（FINESONIC CLEAN） 超音波清洗 74 FTIR 傅氏轉換紅外線光譜分析儀 75 FTY（FINAL TEST YIELD） 76 FUKE DEFECT 77 GATE OXIDE 閘極氧化層 78 GATE VALVE 閘閥 79 GEC（GOOD ELECTRICAL CHIP） 優良電器特性晶片 80 GETTERING 吸附 81 G-LINE G-光線 82 GLOBAL ALIGNMENT 整片性對準與計算 83 GOI（GATE OXIDE INTEGRITY） 閘極氧化層完整性 84 GRAIN SIZE 顆粒大小 85 GRR STUDY GAUGE REPEATABILITY AND REPRODUUCIBILITY） 測量儀器重複性與再現性之研究 86 H2SO4 硫酸 87 H3PO4 磷酸 88 HCL 氯化氫（鹽酸