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化学沉积的Co（W）薄膜 【摘 要】通过化学过程沉积含有少量钨的钴薄膜。Co（W）层是沉积在两种类型的种子层：（1）钴或者铜薄膜溅射在100纳米的 SiO2 /Si上，Pd/PdCl2水溶液活化裸露硅晶片。沉积层是光亮的且在目测下是低缺陷密度的。种子层薄膜的成分是钴与百分比3-4的钨。Co（W） 薄膜电阻率是在60-90 μΩ cm。 【关键词】钴；钨；化学沉积 化学镀钴层已被证明可生产高质量的薄而且铜金属化的阻挡覆盖层。到目前为止的最大壁垒包括除钴还有难熔金属离子（如钨、钼、或镭），要么磷或硼。在这个实验中我们提出用于形成 Co（W）镀膜的沉积液不添加磷和硼。 传统上，化学镀钴浴使用次磷酸盐离子作为还原剂。这些镀浴生产钴膜包达10-11原子百分比的磷。比如含有钠和钾、硼氢化钠、KBH4，环硼烷 RxNHy.BH（x+y） （x， y 0， 1， 2， or3）， 其中R是有机基团如甲基或乙基。含硼化合物是典型的强还原剂相比于磷酸盐Co （和Ni）硼薄膜具有较高的硬度，耐腐蚀性，高熔点Co（or Ni）P。 在本文中，我们提出了一种以硼氮杂烷作为还原剂的新配液 该溶液在5到9的pH值范围内，90℃典型温度下沉积。此配液是没有硼或磷的情况下沉积Co（W）薄膜。设计这个过程有两个原因： （1）为研究固体硼和磷的影响；（2） 提供一个无磷阻挡层。学习硼和磷对样品有无这些元素的化学镀钴阻挡的影响。 一、实验 使用分析纯试剂和去离子水。所有组成的浓度保持不变而钨离子浓度从0到0.03M。研究了钨酸盐离子浓度的固体组合物和材料性能。注意钨酸钠（Na2WO4能被碱金属自由取代比如钨酸铵[（NH4）2WO4]，自由取代获得碱金属且适用于 CMOS工艺。薄膜分别透过 X-射线光电子能谱分析（XPS）和俄歇电子能谱（AES）在物理学波590a模型系统。由一个在线四点探针测量了沉积膜层的电阻和电阻率。原子力学显微镜（AFM）获得高度剖面的平均地形（自动检测CP； Park 科学仪表）和扫描电子显微镜（SEM） （JSM6300）测量。所有的测量都是在是室温下进行的。 二、湿法活化 样品在热（70-90℃）的NH4OH：H2O ：去离子水（1：1：5， v/v）清洗。再通（70-90℃）的HCl：H2O：去离子水（1：1：6， v/v） 去除有机残留。接着，样品在48% HF：40%NH4F （1：10， v/v）缓冲溶液中处理2分钟去除。原生氧化层和提高沉积金属层的附着力。最后在Pd/ PdCl活化液中活化硅表面。样品在每一步后都用去离子水漂洗。 三、干燥活化 薄金属种子沉积在100nm厚热生长在SiO2和Si上。对两种种子层进行了研究 （1） Al（10nm） / Cu（10nm） /Ti（10nm）（2）Al /（10nm） / Co（10nm） / Ti（10nm） 在同一室中使用了三个靶目标离子束溅射沉积层在沉积前系统的背压。Al层是为了保护铜或者钴种子在沉积前在碱性介质四甲基氢氧化铵（TMAH）或者KOH中浸渍时不被氧化和去除。 Al剥离后的样品立即浸入镀液。沉积的引发是用铝丝触碰活化表面几秒钟然后就移除。 四、结果与讨论 我们提出了固体组成物的增长率，所沉积的膜的电气和材料性质。除非另有说明，提出的结论都是在90℃下得到的。在碱性达到pH 9.1或者酸性pH 5.1-5.3的镀液时能得到较好的镀层。这个范围是通过改变氨和乙酸的比例得到的。 固态钨浓度对液体浓度有很低的依赖性。固体钨的浓度范围大约百分之3到4.9时，此时钨酸盐钴离子的浓度比率在1到 6.7。结果表明镀层存在氧。氧浓度增加至约百分之1时，此时钨酸盐钴离子的比例为3%。高于这个水平的氧浓度降低到低于测量系统的分辨率时，钨酸盐离子钴离子的比例大约是6.7%。 用AFM和SEM观察到在Si和Co种子层沉积的Co（W）层的表面形态是光滑连续的。这个结果表明在Si上沉积的Co（W）层比在Co种子沉积更粗糙，具有粗糙的地貌。与Pd活化层相比溅射的Co种子具有更光滑更有序的地貌。薄膜是在90℃和pH 9的0.03M Na2WO4溶液沉积的。 Co（W）膜低程度的择优众所周知，在电解沉积中薄膜的晶粒往往假设一个优选的结晶取向。在化学沉积Co（W）层择优取向度被发现是在铜催化的种子层最强.特别是热处理之后。 Co（W）膜低程度的择优向在Co中子层可能是a-Co相存在，的结果，ε-Co相的低程度的择优取向在真空物理沉积（PVD）Co层比PVD铜层有相对强的取向. 化学沉积Co过程模型使用硼氢化钠作为还原剂已在别处讨轮。 根据这一模型在硼氮烷的存在的无电沉积过程可以描述如下： （1）DMAB复杂氧化 和电子的产生 （CH3）2NH?BH3+4HOHB[OH]4-+3H++3H +（CH3）2H2