许新钿 278-279-C37.doc

278 第六章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础 图6.551（）与（小）的增强型场效应管（）理想的饱和度与增强型（曲线a）和模式（曲线B）的N沟道场效应管地区如果我们把平方根方程（6.57），我们得到 （6.59） 图6.55b是方程（6.59）在理想的情况下，我们可以得到相同的信息，从两条曲线. 然而，正如我们赢在下一章看到，阈值电压可能是在短沟道器件的功能。由于方程（6.59）适用于饱和区偏装置，在诸如方程可能不同于在图6.55a确定的外推值的参数。 一般来说，电流电压特性会产生更多的寓言数据。 目的 从实验结果确定反演载流子迁移考虑一个N沟道场效应管的W 15um, L 2um, 6.9x F/.假设在地区排水管 0.10V电流 35uA的，是 1.5V的和 75uA在 2.5V的。 从式（6.58），我们可以韦特 这将产生 773/ 评论 载波的逆温层流动性小于在散装由于半导体表面散射效应。我们将在下一章讨论这个效果。 运动问题 EX6.11考虑的N沟道场效应管 例6.11.在这个例子中所取得的成果说明，确定场效应管的阈值电压 Ｐ沟道金属氧化物半导体晶体管个P -通道场效应管电流电压的关系可以获得使用同一类型的分析 图6.56显示了一个P沟道增强模式的场效应管极性的电压和电流的方向是在n -通道.我们的扭转可以注意到在这个装置上标符号的变化。在图中所示的电流方向，为P -沟道场效应管四有偏的关系地区， （六），是 6.60a 或 6.60b 图6.56横截面和偏见配置一个P沟道增强型场效应管 Figure 6.551 a versus for small for enhancement mode MOSFET. b Idealversus in saturation region for enhancement mode curve A and depIetion mode curve B n-channel MOSPETs. If we take the square root of Equation 6.57 , we obtain Figure 6.55b is a plot of Equation 6.59 . In the ideal case, we can obtain the same information from both curves. However, as we win see in the next chapter, the threshold voltage may be a function of in short-channel devices. Since Equation 6.59 applies to devices biased in the sab^lration region, theparameter in As equation may differ from the extrapolated value determined in Figore 6.55a. In general, the nonsahuration current-voltage characteristics will produce the more fable data. EXAMPLE 6.11 OBJECTIVE Detemine the inversion carrier bility from experimental results. Consider an n-channel MOSFET with W 15um, L 2um, and 6.9x F/.Assume that the drain current in the nonsaturation region for 0.10V is 35uA at 1.5V and 75uA at 2.5V. Solution From Equation 6.58 ,we can waite so that which yields 773/ Comment The mobility of carriers in the inversion layer is less than that in the bulk semiconductor due to the surface scattering effect. We will discuss this effect in the next chapter. Exercise Problem EX6.11 Consider the n-channel MOSFET described in Example 6.11.Us