数字电子技术 门电路精讲.ppt

CMOS双向模拟开关电路是由CMOS传输门和反相器组成，如图3.3.36所示。和CMOS传输门一样，它也是属于双向器件。 其工作原理为：当 C＝1，开关闭合，vo＝ vI ； 当C＝0 ，开关断开，输出高阻态。 图3.3.36 CMOS双向模拟开关的电路及符号 当C＝1时，开关接通，输出电压为 当C＝0时，开关截止，则 在图3.3.37所示电路中，CMOS双向模拟开关接在输出端的电阻为RL，双向模拟开关的导通电阻为RTG 其中KTG为输出电压和输入电压的比值，称为电压传输系数，即 注： a. 为了得到尽量大且稳定的电压传输系数，应使RL RTG。 b. 由于MOS管的导通内阻是栅源电压vGS的函数，而vGS 又和输入电压有关，故RTG和输入电压有关。为了减小RTG的变化，通常在电路上做改进，尽量降低RTG。 解：（a） Y1＝A 例3.3.3 由CMOS传输门构成的电路如图3.3.42（a）、（b）所示，试写出各电路的输出函数的表达式。 b 输出、输入真值表为 输出逻辑式为 本章小结 门电路是构成各种复杂数字电路的基本逻辑单元，掌握各种门电路的逻辑功能和电气特性，对于正确使用数字集成电路是十分必要的。 类型 优点 缺点 半导体二极管门电路 电路简单 输入输出电平偏移 TTL门电路 重量轻、可靠性好，驱动能力强 功耗大 CMOS门电路 功耗低 驱动能力稍弱于TTL * * * * * * * * * * * * * * * 2.或非门 如图3.5.32为TTL或非门的电路，其输出为 图3.5.32 TTL或非门的电路 3.与或非门 图3.5.33 与或非门电路 与或门相比，输入管T1和T?1都是多发射极的三极管，构成与门电路，其输出为 3.3 CMOS门电路 CMOS逻辑门电路是在TTL器件之后，出现的应用比较广泛的数字逻辑器件，在功耗、抗干扰、带负载能力上优于TTl逻辑门，所以超大规模器件几乎都采用CMOS门电路，如存储器ROM、可编程逻辑器件PLD等 国产的CMOS器件有CC4000 国际CD4000/MC4000 、高速54HC/74HC系列（国际MC54HC/74HC ，此外还有兼容型的74HCT和74BCT系列（BiCMOS） 先介绍74系列的反相器和逻辑门 一、MOS管的类型和符号 a. 增强型NMOS 符号如图3.3.1所示 3.3.1 MOS管 绝缘栅）的开关特性 NMOS共源极接法电路如图3.3.2（a）所示，输出特性如 b 所示 3.3.1 MOS管 绝缘栅）的开关特性 图3.3.2 NMOS管共源极接法电路及其输出特性 增强型NMOS共源极接法电路如图3.3.3（a）所示，转移特性如 b 所示 a b 图3.3.3 NMOS管共源极接法电路 3.3.1 MOS管 绝缘栅）的开关特性 开启电压 当vGS VGS th ，管子截止， iD 0, ROFF 109Ω VGS VGS th 时，管子导通，iD∝ V 2GS，RON 1kΩ a b 图3.3.3 NMOS管共源极接法电路 3.3.1 MOS管 绝缘栅）的开关特性 b. 增强型PMOS 符号如图3.3.4所示 3.3.1 MOS管 绝缘栅）的开关特性 增强型PMOS共源极接法电路如图3.3.5（a）所示，转移特性如 b 所示 3.3.1 MOS管 绝缘栅）的开关特性 当vGS VGS th ，管子截止， iD 0 vGS VGS th 时,管子导通，iD∝ V 2GS 3.3.1 MOS管 绝缘栅）的开关特性 c. 耗尽型NMOS 3.3.1 MOS管 绝缘栅）的开关特性 符号如图3.3.6所示 耗尽型NMOS共源极接法电路如图3.3.7（a）所示，转移特性如 b 所示 3.3.1 MOS管 绝缘栅）的开关特性 当vGS VGS off 负值），管子截止， iD 0； vGS VGS off 时，管子导通。 d. 耗尽型PMOS 3.3.1 MOS管 绝缘栅）的开关特性 符号如图3.3.8所示 耗尽型PMOS共源极接法电路如图3.3.9（a）所示，转移特性如 b 所示 3.3.1 MOS管 绝缘栅）的开关特性 当vGS VGS off 正值），管子截止， iD 0； vGS VGS off 时,管子导通 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 一、CMOS反相器的电路结构及工作原理 图3.3.10 CMOS反相器电路 图3.3.10为CMOS反相器的电路 其中T1为P沟道增强型MOS管，T2为N沟道增强型MOS管.它们构成互补对称电路 1.结构： 增强型PMOS 增强型NMOS 图3.3.10 CM