三、开题报告--杨宇轩.docVIP

湖北文理学院物理与电子工程学院 2016届本科毕业论文开题报告 论 文 题 目 ICP刻蚀制备Bi-2212台阶本征约瑟夫森结的研究 班 级 1211物理 姓 名 杨宇轩 学 号 2012100132 指导教师（职称） 魏 彦 锋 （讲师） ? ? ? 填表日期 2016 年 2 月 20 日 说 明 ? ? 一、论文的开题报告是保证毕业论文质量的一个重要环节，为规范我院本科毕业论文的开题报告，特印制此表。 三、开题报告须经院毕业论文指导审查，同意后方可进行论文写作开题报告不合格者，必须重写。 ? ? ? ? ? ??一、选题的意义和研究现状 1． 近些年来，随着现代信息科学技术的长足发展，薄膜材料已成为了支持现代高新技术不断进步的重要材料之一，已经被广泛地应用在微电子器件、微驱动器/微执行器、微型传感器中。薄膜是人工制作的厚度在1微米（10-6米）以下的固体膜，“厚度1微米以下”并不是一个严格的区分定义。薄膜一般来说都是制备在一个衬底（如：玻璃、半导体硅等）上，由于薄膜的厚度（简称膜厚）是非常薄的，因此膜厚在很大程度上影响着薄膜材料的物理特性（如：电学性质、光学性质、磁学性质、力学性质等）。这种薄膜材料的物理特性受到膜厚影响的现象被称为尺寸效应。尺寸效应决定了相同材料的薄膜，由于膜厚不同，某些物理性质、化学性质差异巨大。所以在薄膜性质的研究过程中，许多情况下，测量误差是不可忽略的。 金属薄膜的电阻率是金属薄膜材料的一个重要的物理特性， 科研开发和实际生产中经常要准确测量和精确控制电阻率的数值。由于目前还没有不使用电学而间接精确测量电阻的方法，因此电阻与其它物理参数测量相比的最突出特点是必须将被测材料或器件连接在电路之中，电路之中的导线、导线接头或器件触点接触电阻、测量仪表的内阻以及与被测电阻间的连接关系，阻值比例等多种因素都会对影响测量结果的精确度。 在薄膜的电学性质的研究过程中，如何精确地测量出薄膜的电阻率一度成为了久攻不克的难题。由于原理简单、精度高及操作简便，四探针技术在半导体测量技术中已得到了广泛的应用，尤其近年来随着微电子技术的加速发展，四探针测试技术已经成为半导体材料电阻率或电导率测量的首选方法之一。因此，对它的研究有着非常重要的意义。 2． 四探针测试原理的首次出现是在1861 年，由汤姆森提出，而第一次实际运用人却是Schlumberger ，1920 年Schlumberger 将其应用于地球电阻率测量，1954 年Valdes将其最早用于半导体电阻率测试，20 世纪80 年代具有扫描功能四探针技术的出现被认为是具有划时代意义的事件，1999 年Petersen 等首次开发出微观四点探针，将四探针技术的发展带到了微观领域。目前，四探针测试仪作为半导体行业的标准检测工具已经系列化生产，国内市场上较为常见的为RTS 和RDY 系列。另外，两种类型的微观四点探针测试系统即整体式和独立驱动式均实现商业化生产，其探针间距已达30 纳米尺度。随着半导体科技的飞速发展，薄膜技术和材料表面研究的深入以及纳米器件和新型生物材料的出现，四探针技术引起了更多的关注。面对被测样品微型化带来的挑战，研究人员进行了大量研究，并取得了丰硕成果。在测试方法与理论方面，提出了多种改进测试方法，对环境和样品几何修正问题进行了探讨，并通过微观四点探针的研究发现减小探针间距可提高表面灵敏度，减小泄漏电流和表面缺陷对测试结果的影响。在仪器设计与探针制备方面，致力于电源、控制电路、成像系统的改进，提高了测试效率和测试精度。借助于显微技术和超高真空技术，多种具有较高空间分辨率和表面灵敏度的微观四探针测试系统被开发出来，并在微纳领域得到了广泛应用。微机电系统加工技术的发展使得制备纳米探针成为现实。智能化、微型化、集成化已成为四探针测试仪的发展方向。 3． [1] Wagendristel A, Wang Y.An Introduction to Physics and Technology of Thin Films[ M] .London :World Scientific Publishing , 1984. [2] 谢辉,刘新福, 贾科进, 等. 四探针和EIT 测试微区薄层电阻的研究与进展[J]. 半导体技术, 2007, 05:369-373. [3] 游长峰. 硫化处理之铟锡对有机发光二级管光电特性影响之研究[D].台湾：国立彰化师范大学光电科技研究所,2007. [4] 孙以材,