模拟电子第一张.ppt

例：单相桥式可控整流电路 + - uG 　　在 u2 正半周，当控制极加触发脉冲，VT1 和 VD2 导通； 　　在 u2 负半周，当控制极加触发脉冲，VT2和 VD1 导通； α θ ?：控制角； ?：导电角 图 1.5.8 第一章 半导体器件 第一章 半导体器件 小 结 第 1 章 第一章 半导体器件 一、两种半导体和两种载流子 两种载流 子的运动 电子 空穴 两 种 半导体 N 型 多电子 P 型 多空穴 二、二极管 1. 特性 — 单向导电 正向电阻小 理想为 0 ，反向电阻大 ? 。 第一章 半导体器件 iD O uD U BR I F URM 2. 主要参数 正向 — 最大平均电流 IF 反向 — 最大反向工作电压 U BR 超过则击穿 反向饱和电流 IR IS 受温度影响 IS 第一章 半导体器件 3. 二极管的等效模型 理想模型 大信号状态采用 uD iD 正偏导通 电压降为零 相当于理想开关闭合 反偏截止 电流为零 相当于理想开关断开 恒压降模型 UD on 正偏电压 ? UD on 时导通 等效为恒压源UD on 否则截止，相当于二极管支路断开 UD on 0.6 ? 0.8 V 估算时取 0.7 V 硅管： 锗管： 0.1 ? 0.3 V 0.2 V 折线近似模型 相当于有内阻的恒