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一种自适应偏置结构的高精度运算放大器 摘要：电压跟随器电路具有较低的输出阻抗、良好的大电容负载驱动能力，用途广泛。在实际应用中，负载电容会与负载电阻并联，如果驱动负载的电压跟随器需要较大的闭环带宽，那么将会提电压跟随器的设计难度。该文提出一种与负载变化无关的自适应偏置电路，使用自适应偏置电路的电压跟随器，在提高输出电压精度的同时简化了频率补偿网络。 关键词：运算放大器；自适应偏置结构；电压跟随器 中图分类号：TP391 文献标识码：A 文章编号：1009-3044（2014）03-0653-02 在许多的实际应用中正如图1所示，电压跟随器驱动等效电容与等效电阻并联的负载，例如电阻阶梯型模数转换器（Analog-to-Digital Converter ADC）。图1（a）中，单级运算放大器利用负载进行频率补偿，不过较小的负载阻值，减小了运算放大器的增益，降低了输出电压精度，从而影响整个系统的输入、输出失调。解决办法之一是采用两级结构增大运算放大器的增益，但是两级运算放大器必须要额外增加频率补偿电路，例如零极点分离、米勒补偿等等，增加了电路的复杂程度。此外图1（a）中，尾电流源M0是固定的电流值，而负载电流IL跟随输入电压Vin的变化，从而使得系统的输入、输出失调发生变化。仅当Itail 2*IL/k（k是M5与M3的宽长比的比值）时，系统的输入、输出失调等于0。图1（a）中，因为PMOS晶体管M3、M5较小的，运算放大器的电源电压抑制比（Power-Supply Rejection Ratio）比较小。采用自适应偏置电路，差分对的尾电流值根据负载电流进行调整，可以提高运算放大器的电源电压抑制比。如图1（b）所示，通过使用自适应偏置电路，运算放大器的开环增益增大，但是该结构的运算放大器有着如图1（a）所示电路同样的缺点，输入、输出失调随着负载的变化而变化。 本文的第二部分，阐述一种采用自适应偏置结构、引入高阻节点的高精度运算放大器电路，之后将对该电路进行分析，最后给出测试仿真结果。 1 自适应偏置电路 如图2所示，负反馈大于正反馈的情况下，差分对（M1/M2）产生的差分信号通过反馈环路（由M0、M2、M4、M7、M8和M9构成的第二个反馈环路）控制该差分对的尾电流值。在稳态的情况下，电容Cc两端的电势差不会变化。由M0、M1、M3和M6构成正的反馈环路1；由M0、M2、M4、M7、M8和M9构成负的反馈环路2；由M1、M3、M5和M2构成负的反馈环路3，为了使系统保持稳定，负的反馈作用必须始终大于正的反馈作用。 差分对（M1/M2）的尾电流与负载电流IL成线性比例关系，因此系统的输入、输出失调不会随负载电流IL变化。相比改进前的电路，系统的输入、输出失调已得到非常好的改善，通过仿真得出，图2所示电路的系统失调小于200uV（输入电压0.5V Vin 1.5V），在同样条件下，图1（a）所示电路的系统失调大于10mV。通过采用自适应偏置电路，图2中电路的开环增益相比图1增大了gmxrds倍（rds是晶体管M9/M6的漏端电阻，gmx是尾电流晶体管M0的跨导值）。 2 小信号分析 整个电路是一个二阶低通响应系统，接地电容CC是作为频率补偿电容。由图2电路可得如下方程： 有方程（6）可知，根据负载电容CL与差分输入晶体管（M1/M2）跨导gm，优化差分对尾电流晶体管跨导gmx与补偿电容CC，整个电路能正常工作。在保证电路正常工作的条件下，经过对方程（1）—（4）重新化简计算，可以得出m值的范围： 输入差分对尾电流晶体管M0的栅极偏置通过补偿电容CC与VSS相连，M0的栅极偏置与电源电压Vdd很好的隔离开。信号从电源电压Vdd到系统输出端VO的传输函数类似带通响应，直流信号和超过系统带宽的高频信号在此通路上都被抑制。因为通过正、负反馈环路调整，使得，这个过程与电源电压的变化没有关系。当电源电压Vdd干扰信号频率超出系统带宽的情况下，系统内的反馈环路对输出信号VO不再产生影响，负载电容CL使得系统增益与电源电压Vdd无关，。因此，如果对系统的带宽要求较高，那么需选择较小的负载电容，但是如果需要较好的电源电压抑制比，那么需选择较大的负载电容。通过选择合适的负载电容值，即可得到满足性能要求的电源电压抑制比。 3 测试结果 图2所示电路使用1.8V 0.18um标准CMOS工艺模型进行仿真，负载等效电阻，得到图3所示仿真测试结果。 4 结论 通过改进电压跟随器电路的差分对尾电流晶体管的偏置电路，增大了运算放大器的开环增益，使得图2所示单级运放的增益达到常规二级运放的增益数量级，电压跟随器增益的增加，输出精度大幅提高。 参考文献： [1] 孙嘉兴，梅当民，裴东伟，等.一种高精度带隙基准的分析与设计[J].辽宁大学学报：自然科学版，2009（3）.