9011_902_9013_9014_8050_8550三极管的参数及区别.docVIP

9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的参数及区别 9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管 放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管 放大倍数40-1108050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140 详情如下：硅管，NPN，b和e的导通电压0.7V左右。如，9011 9013 9014 9016锗管，PNP，b和e的导通电压0.3V左右。如， 9012 9015 8550 90系列三极管参数 90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。 9011 结构：NPN 集电极-发射极电压 30V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流 0.03A耗散功率 0.4W结温 150℃特怔频率 平均 370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9012 结构：PNP 集电极-发射极电压 -30V集电极-基电压 -40V射极-基极电压 -5V集电极电流 0.5A耗散功率 0.625W结温 150℃特怔频率 最小 150MHZ 放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN 集电极-发射极电压 25V集电极-基电压 45V射极-基极电压 5V集电极电流 0.5A耗散功率 0.625W结温 150℃特怔频率 最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9014 结构：NPN集电极-发射极电压 45V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流 0.1A耗散功率 0.4W结温 150℃特怔频率 最小 150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9015 结构：PNP 集电极-发射极电压 -45V集电极-基电压 -50V射极-基极电压 -5V集电极电流 0.1A耗散功率 0.45W结温 150℃特怔频率 平均 300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9016 结构：NPN集电极-发射极电压 20V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流 0.025A耗散功率 0.4W结温 150℃特怔频率 平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN集电极-发射极电压 15V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流 0.05A耗散功率 0.4W结温 150℃特怔频率 平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管8550 8550是一种常用的普通三极管。 它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管 集电极-基极电压Vcbo：-40V 工作温度：-55℃ to +150℃ 和8050（NPN）相对 主要用途： 开关应用 射频放大 8550参数:Pcm=1W,Icm=1.5A8550是韩国管。主要参数是如下 ： 集电极反向击穿电压100V 集电极电流 1A 可用 2N5551、3DG12等代替,Vceo=25V,ft=100MHz 三极管8050 8050是常用的NPN小功率三级管，下面是的8050引脚图参数资料。 8050三级管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *KMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K 图１　8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排