QT2晶体管图仪使用方法介绍.docVIP

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  • 2016-09-30 发布于贵州
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QT2晶体管图仪使用方法介绍

QT2晶体管图示仪使用方法介绍 Lab one QT2 一、实验目的 熟练掌握晶体管特性图示仪的使用方法,学会用晶体管特性图示仪测量半导体器件的静态参数。在不损坏器件的情况下,测量半导体器件的极限参数。 二、晶体管特性图示仪测量半导体器件的工作原理 1.概述 YB4810型晶体管特性图示仪是一种用阴极射线示波管显示半导体器件的各种特性曲线,并可测量其静态参数的测试仪器,尤其能在不损坏器件的情况下,测量其极限参数,如击穿电压、饱和压降等。2.主要技术指标 Y轴偏转系数 集电极电流范围为10μA/div~0.5A/div,分15档,误差不超过±5%;二极管反向漏电流0.2μA/div~5μA/div,分5档,2μA/div、5μA/div误差不超过±5%,1μA/div误差不超过±7%,0.5μA/div误差不超过±10%,0.2μA/div误差不超过±20%;外接输入为0.1V/div误差不超过±5%。 X轴偏转系数 集电极电压范围为0.1V/div~50V/div,分9档,误差不超过±5%;基极电压范围为0.1V/div~5V/div,分6档,误差不超过±5%;外接输入为0.05V/div误差不超过±7%。 阶梯信号 阶梯电流范围为0.1μA/级~50mA/级,分18档;1μA/级~50mA/级,误差不超过±5%,0.1μA/级误差不超过±7%;阶梯电压范围为

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