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ANSYS电磁分析指南 第七章 3-D谐波磁场分析(棱边单元法
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第七章3-D谐波磁场分析(棱边单元方法)
7.1 用棱边元方法进行谐波分析
3-D谐波磁场分析(棱边元方法)与静态分析的特点基本相同,但前者只支持线性材料特性分析。电阻和相对磁导率可以是正交各向异性,也可以与温度相关。谐波分析仍使用SOLID117单元。
详见《ANSYS单元手册》和《ANSYS理论手册》。
7.1.1 物理模型区域的设置和特性
ANSYS程序提供了几个选择用于处理3-D磁场分析中的不同的终端条件,以下图示导体的不同的终端条件:
载流块导体 DOFs: AZ, VOLT
材料特性:mr(MURX), r(RSVX)
特殊特性:耦合VOLT自由度,给单个节点加总电流(F,,amps)。
注:带有净电流的短路条件,净电流不受环境影响。 开路导体 DOFs: AZ, VOLT
材料特性:mr(MURX), r(RSVX)
注:对对称性结构,令一面的VOLT=0,再耦合另一面的节点。对3-D结构,令一个节点的VOLT=0。
载流绞线圈 DOFs: AX, AY, AZ
材料特性:mR(MURX)
特殊特性:没有涡流,可以加源电流密度, JS。 短路导体 DOFs: AZ, VOLT
材料特性:mr(MURX), r(RSVX)
注:令导体对称面上的VOLT=0。 叠层铁芯 自由度:AZ
材料性质:μr(MURX) 空气 自由度:AZ
材料性质:μr(MURX) 运动导体
(速度效应) 可用SOLID117单元模拟恒速运动导体的速度效应,关于运动导体详情,见本章和第2章 7.1.2 速度效应
在交流(AC)激励下,运动导体的某些特殊情况是可以求解电磁场的。速度效应在静态、谐波和瞬态分析中都有效。第2章“二维静态磁场分析”中讨论了运动导体分析的应用情况和限制条件。
对于3D问题,设置单元KEYOPT选项和实常数的过程相似于2D谐波分析。在谐波分析中,所加速度为常数,不作正弦变化(线圈或场激励为正弦变化),且垂直于运动方向的运动体截面应保持常数。
通过设置单元的KEYOPT(2)=1来激活速度效应,带运动导体的3D谐波分析同样需要运动导体区域具有时间积分电势自由度(VOLT),这通过设置单元的KEYOPT(1)=1(AZ和VOLT自由度)来实现。
运动导体分析中能设置的实常数如下表所示:
VELOX,VELOY,VELOZ 总体笛卡儿坐标系下的X、Y、Z三个方向的速度分量 OMEGAX,OMEGAY,OMEGAZ 总体笛卡儿坐标系下的X、Y、Z三个方向的角速度分量(单位为HZ),旋转中心由XLOC,YLOC和ZLOC确定 XLOC,YLOC,ZLOC 旋转中心的总体笛卡儿坐标系的坐标值分量 可用谐波分析来仿真静场激励下的运动导体,为了表示静场,需将谐波的频率设置得很低,通常,谐波频率小于0.0001HZ就能产生准静态解,准静态解的结果是存放在实部里的。如果使用波前法求解,谐波的频率可以低到10-8HZ,而对于迭代解法,过低的频率会导致求解不收敛。
7.2 3-D谐波磁场分析(棱边元方法)的步骤
1.在GUI菜单过滤中选定Magnetic-Edge项
2.定义任务名和题目
命令:/FILNAME和/TITLE
GUI:Utility MenuFileChange Jobname
Utility MenuFileChange Title
3.进入ANSYS前处理器
命令:/PREP7
GUI:Main MenuPreprocessor
4.选择SOLID117单元
命令:ET,,solid117
GUI: Main MenuPreprocessorElement TypeAdd/Edit/Delete
5.选择SOLID117单元选项
对导电区用AZ-VOLT自由度,对不导电区用AZ自由度.
命令:KEYOPT
GUI:Main MenuPreprocessorElement TypeAdd/Edit/Delete
6.定义材料特性
对涡流区必须说明电阻值RSVX,其它详见“二维静态磁场分析”一章
7.建立模型
对建立几何模型和划分网格的描述,详见“ANSYS建模与分网指南”
8.赋予特性
命令:VATT
GUI: Main menuPreprocessor-Attributes-Define
9.划分网格(用Mapped网格)
命令:VMESH
GUI:Main MenuPreprocessor-Meshing-Mesh-Volumes-Mapped
10.进入求解器
命令:/SOLU
GUI:Main MenuSolution
11.给模型边界加磁力线平行和磁力线垂直边界条件
命令:DA
GUI:Main MenuSolution-Loads-App
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