3.4 晶体缺.ppt

一 固体能带理论 固体能带理论是在分子轨道理论的基础上发展起来的。 该理论把金属晶体中所有的原子看成一个大分子。 各原子的原子轨道相互作用，形成一系列分子轨道，其数目与原子轨道数目相同。 绝缘体中的价电子都处于满带，满带与相邻带之间存在禁带，能量间隔大（Eg≥5ev），故不能导电，如金刚石。 半导体的价电子也处于满带（如Si、Ge），其与相邻的空带间距小，能量相差也小（Eg 3ev）。 低温时是电子的绝缘体，高温时电子能激发跃过禁带而导电，所以其导电性随温度的升高而升高。 金属却因升高温度，导电性下降。 本征半导体是由晶体结构本身特性造成的,如Si（禁带1.1eV）及Ge（禁带0.7eV ）。 本征半导体还可由不同种类原子形成. 如GaAs、InSb、GaP、ZnO、CdS、ZnSe等，以及PbS、PbSe等。 热激发(满带?导带)产生的价电子和空穴载流子迁移而导电。 掺杂半导体是在禁带范围内形成有限的局部能级，如在小河中加几个石墩，方便电子的通行。 局部能级与价带间只有0.01～0.1eV。 本征半导体中掺少量富电子杂质，称为n型半导体。如，硅中掺磷、砷。 本征半导体中掺少量缺电子杂质，称为p型半导体。如，硅中掺硼、铟。 二 晶体缺陷 两大类缺陷： 点缺陷 线缺陷 面缺陷 本征晶体和掺杂晶体。 点缺陷 螺型位错 金属的塑性变形主要由位错运动引起。阻碍位错运动是强化金属的主要途径。 亚晶界 晶粒的尺寸很小，位向差也很小的晶粒之间的交界面。亚晶界也可看作位错壁。 晶体缺陷使得晶体在光、电、磁、声、热学上出现新的特性。 单晶硅、锗都是优良半导体材料，而人为地在硅、锗中掺入微量砷、镓形成的有控制的晶体缺陷，便成为晶体管材料，是集成电路的基础。 杂质缺陷还可使离子型晶体具有绚丽的色彩。如 α-Al2O3中掺入CrO3呈现鲜艳的红色，常称“红宝石”，可用于激光器中作晶体材料。 离子晶体的缺陷有时可使绝缘性发生变化，如在AgI中掺杂+1价阳离子后，室温下就有了较强的导电性，称为“固体电解质” ，能在高温下工作，可用于制造燃料电池、离子选择电极等。 三 陶瓷材料 传统陶瓷材料主要指硅酸盐陶瓷，是以天然硅酸盐矿物为原料，经配料、成型、烧制等工艺制得。 新的陶瓷材料在原料中加入了氧化物及人工合成原料，成为具有特殊性能的功能陶瓷和结构陶瓷材料——特种陶瓷。 结构陶瓷 氮化硅Si3N4（优良的高温力学性能） 氧化铝（耐磨零件、高温部件等）， 碳化硅陶瓷（在航空航天、原子能、化工等领域有广泛应用）。 氧化锆陶瓷可用于高温绝缘材料、耐火材料，熔点为2715 ℃。 导电陶瓷 掺入某些金属氧化物或盐，可得到改性玻璃； 将玻璃拉丝(d=5μm)——玻璃纤维，其力学性能大大改变，变得柔软而富有弹性，拉伸度比尼龙纤维还高，是制造复合材料的重要原料。 玻璃的透明度好，表明光滑，耐酸蚀。 金属材料：良好的导电、导热性、良好力学性能、优良工艺性能、特殊的物理和化学性能；因而在工程界应用最广； 高分子材料：密度低、易于成形、化学惰性。 无机非金属材料：高硬度、良好耐压性、耐热性、高化学稳定性。 四 复合材料 当单一的金属、非金属或高分子材料不能满足科技飞速发展时，产生的复合材料技术。 复合材料即将不同性能的材料复合在一起，从而获得单一材料不具备的优越性能。 * * 一个气态Li2的分子轨道是由2个Li原子轨道（1s22s1）组合而成的。6个电子在分子轨道中的分布如7-27（a）所示。 现有n个原子聚积成金属晶体，形成n条分子轨道，其中n/2条的分子轨道有电子占据，另外n/2条是空的。如图7-27（b）所示。 由于金属晶体中原子数目n极大，所以这些分子轨道之间的能级间隔极小，几乎连成一片，形成能带幻灯片 3。 由已充满电子的原子轨道所形成的低能量能带称为满带。 由未充满电子的能级所组成的高能量能带称为导带。 满带与导带之间的能量相差很大，电子不易逾越，故又称为禁带。 金属导电的两种情况： 金属导体的价电子能带是半满的（如Li、Na）,能导电。 或者价电子能带虽全满（如Mg），但可与能量间隔不大的空带发生部分重叠。 当外电场存在时，价电子可跃迁到相邻的空轨道，因而能导电。 电导率划分： 电导率10 S·m-1者为导体； 电导率10-11 S·m-1者为绝缘体； 介于10-11～ 10 S·m-1间者为半导体。 多数离子晶体(固态NaCl、CaO)和分子晶体(CO