半导体伏安特性曲线.docVIP

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半导体伏安特性曲线

测定半导体二极管伏安特性的实验方案 实验原理 电路连接方式 要同时测量流过二极管的电流I和其两端的电压U,电路有两种连线方式,即电流表的内接和外接: 当RX ?rA(电流表内阻)时,宜采用电流表内接如图2 b ; 当RX ?rV(电压表内阻)时,宜采用电流表外接如图2 a ; 当RX ?rA,RX ?rV时,两种接法均可以。 无论采用哪种接法,由于电表本身存在内阻,会使得测量电流或电压值出现系统误差(即电表的接入误差),当正向导通时二极管的内阻很小,所以采用外接法;当测量反向特性时二极管的内阻很大,所以用内接法。 二极管具有单向导电性,当正向电压较小时,二极管电阻较大,对硅管约为数百欧,此时正向电流很小,当电压超过一定数值(即导通电压,对硅管约为0.7V左右)后,二极管电阻变得很小,对硅管约为几十欧,此后随着电压的微小增加,正向电流将急剧增加,为了不损坏二极管,实验时,应注意其正向电流不能超过该二极管的额定正向电流Imax。而测量反向特性时要注意工作电压应不超过最高反向工作电压URM。 控制电路 由于硅二极管正向电流变化范围很大, R阻值取值小些,作为细调用;R阻值取大些,作为粗调用。由于二极管正向导通时电阻很小,为了减少系统误差就用外接法,而加反向电压时,二极管相当于大电阻,所以用内接法。 (a)外接法 (b)内接法 图2 二极管伏安特性曲线的测定 3.电源、电压表量程及变阻器的选择 (1)电源电压:稳压电源输出E 3V(正向特性),反向特性电压可达几十伏,故应选择可调的稳压电源。 (2)电表量程: 电压表选用多量程的电压表, 电流表选用毫安表和微安表. (3)变阻器: 选R全阻值为500Ω作为细调用,其额定电流为1A(应大于电路总电流值)。 选R全阻值为1.83KΩ作粗调用,其额定电流为0.35A(应大于0.1A)。 实验步骤 1、测定二极管正向伏安特性曲线 (1).用万用表0Ω(×100或×1K档)判断二极管的正反向。 (2).按图2 a 连好电路,接通电源,给二极管加正向电压,选好毫安表和电压表量程,缓慢调节R及R,注意观察I、U变化情况,由此确定I、U的节范围和测量取点情况。 (3)由I、U变化情况可知,在0~0.6V区间,电流变化缓慢,取点可稀疏些,每隔0.1V测一点;在0.6V以后,电流迅速变化,取点应密集一些,每隔0.02V测一点,直至电流不超过Imax 100mA为止。 (4)实验数据记录表格 U(V) I mA 2 测定二极管的反向特性曲线 (1)按图2 b 连好电路,接通电源,给二极管反向电压,选好微安表和电压表量程,缓慢调节R及R,注意观察I、U变化情况。 (2)慢慢增加二极管两端的电压,使U从0开始,每隔1V读下微安表对应的读数I,直到U接近URM。 (3)实验数据记录表格 U(V) I mA

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