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试说明黄光制程的相关流程？ ①晶圆清洗，②预烘烤与上底漆，③涂布光阻，④软烘烤，⑤对准和曝光，⑥曝光后烘烤，⑦显影，⑧硬烘烤与图案检查。 试说明黄光制程中驻波现象？如何避免此问题？ 驻波效应：当曝光的光线从光阻与基板的介面反射时，会与入射的曝光光线产生干涉，并透过不同深度的相长干涉及破坏性干涉产生驻波效应。 避免：①光阻内添加染料抗反射 ②镀抗反射薄膜(ARC) ③曝光后烘烤(PEB) 在半导体制程中，何谓深宽比？何谓阶梯覆盖？ 深宽比（Aspect Ratio） AR= height of feature / width of feature = h /w AR值越大，越难覆盖。 阶梯覆盖（step coverage）（膜最薄的地方／膜最厚的地方）×100％。 一般大于50%为好。 请说明溅镀的原理？何谓溅击产额？ 原理：在真空溅镀舱中，当抽到所需的真空度时，通入惰性气体（Ar），基板与靶材之间加入高压直流电，因辉光放电产生电子激发惰性气体，产生Ar（N2）电浆，因金属靶材带负电，电浆（Ar﹢）被吸引而撞击靶材，将金属靶材的原子轰出，沉积于基板上，形成薄膜。 溅击产额：每个离子因轰击而击出的靶原子数量的比例。 S=被击出靶原子数／击出离子数=α·{ Mm/(M+m) 2}·(Em/Um) 在CVD制造中常见有表面反应限制机制与扩散限制机制，请分别说明其差异性？ 表面反应限制区（低温、低压），表面化学反应速率小于源材料的扩散及吸附速率，源材料将积累在基板表面等待反应，且随基板温度升高沉积速率上升，因此表面反应限制区沉积速率对温度非常敏感。 扩散限制区（高温、高压），表面化学反应速率大于源材料的扩散及吸附速率，源材料在基板表面立即产生反应，又因扩散速率为定值，所以在扩散限制区中沉积速率几乎不受温度影响。 比较热扩散与离子布植法，在半导体掺杂中的差异？ ①：热扩散是在高温，硬遮蔽层的条件下进行；而离子布植是在低温，光阻作为遮蔽层的条件下进行。 ②：热扩散是等向性掺杂轮廓；而离子布植是非等向性掺杂轮廓。 ③：热扩散不能独立控制掺杂浓度和接面深度；而离子布植可以独立控制掺杂浓度和接面深度。 ④：热扩散是批量制程且便宜；而离子布植不仅可以批量（没有热扩散的批量多）还可以单晶圆制程，但价格较贵。 半导体在离子布植中，何谓通道效应？目前常见有哪三种方法可以预防？ 通道效应：在单晶矽中晶格原子整齐排列，在特定角度具有很多通道。如果一个离子以正确的布植角度进入通道，它只要具有很少的能量就可以行进很长的距离。 预防方法：a.穿过一层遮罩二氧化矽薄膜进行布植 b.在倾斜的晶圆上进行离子布植过程，通常倾斜的角度为7° c.矽或锗的非晶态布植过程。 简述半导体中，元件隔离的发展趋势？ 发展趋势：整面覆盖氧化层（厚度过大、氧化层阶梯具有一个尖锐的边缘难以覆盖、表面台阶高度较高、侧壁坡度大）→→矽局部氧化（LOCOS）（可以避免整面覆盖氧化层的缺点，但是会产生鸟嘴，特别是当最小特微尺寸小于0.35微米时，LOCOS的鸟嘴效应影响严重）→→浅沟槽绝缘（STI）制程来避免鸟嘴效应。 在半导体元件缩小化的趋势下，为何需加入平坦化制程？平坦化制程的发展趋势为何？ 因为元件尺寸深度缩小，从而解析度变高，景深变小。在低尺寸下，若表面不平坦则无法聚焦。所以为了黄光制程，需加入平坦化制程。 发展趋势：最先出现的再流动技术，改善了微影制程的解析度且硼磷矽玻璃（BPSG）可将再流动的温度降低到900℃左右，减小热积存。但当尺寸小于0.25微米时，再流动技术无法满足高微影解析度对表面平坦化的要求，所以出现了化学机械研磨（CMP）技术取代再流动技术。