CMOS逻辑门电路大学物理课程.docVIP

CMOS逻辑门电路 　　CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后 ，所开发出的第二种广泛应用的数字集成器件，从发展趋势来看，由于制造工艺的改进，CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件 。CMOS电路的工作速度可与TTL相比较，而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL。此外，几乎所有的超大规模存储器件 ，以及PLD器件都采用CMOS艺制造，且费用较低。　　早期生产的CMOS门电路为4000系列 ，随后发展为4000B系列。当前与TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可与TTL器件交换使用。下面首先讨论CMOS反相器，然后介绍其他CMO逻辑门电路。 MOS管结构图 MOS管主要参数： 1.开启电压VT　　·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；　　·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；　　·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。 2. 直流输入电阻RGS　　·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比　　·这一特性有时以流过栅极的栅流表示　　·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3. 漏源击穿电压BVDS　　·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS　　·ID剧增的原因有下列两个方面：　　（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿