材能模电 1-1.ppt

一、本征半导体 如 硅Si，锗Ge 三、PN结的形成 电压P+N-时，耗尽层变窄，导通电压P-N+时，耗尽层变宽，截止 伏安特性曲线 1、二极管的几种外形(上)和内部结构(下) 3、由伏安特性折线化得到的等效电路 5、直流电压源和交流电压源同时作用的二极管电路 (1) 稳压管的伏安特性和参数 (2) 稳压管稳压电路 本节主要内容 * 模拟电子技术基础 理论与实践，微观与宏观，晶体管与电路；管为路用。 工程近似，估算。 一般取3位有效数字 要有数量级概念 脉冲，数字信号，计数；连续，模拟信号，按比例放大 一、特点 二、要求 五勤：手、脚、眼、嘴、脑 六会：看、算、用、测、装、排 模拟信号 三、参考书 P612 1、康华光 《电子技术基础 ….. 模拟部分》教材， 陈大钦 彭容修《模拟 ….. 学习与解题指南》，高教社 2、江晓安 董秀峰《模拟电子技术》教材， 《模拟 …… 学习指导与题解》，西安电子科技大学出版社 3、马积勋《模拟 …重点难点及典型题解》，西安交大出版社 4、唐竞新《模拟 …… 解题指南》，清华大学出版社 第一章 常用半导体器件 1. 1 半导体基础： 本征半导体、杂质半导体、PN结 四、符号规定 T=300K，本征载流子浓度：Si 1010/cm3，Ge 1013/cm3。 热运动产生自由电子和空穴，称为本征激发， 本征载流子 温度一定，本征激发与复合构成动态平衡 第一章 常用半导体器件 1. 1 半导体基础： 本征半导体、杂质半导体、PN结 自由电子、空穴对，电阻率对温度极敏感 T = 0，不导电。 电子和空穴都参与导电 晶体，数密度约1023/cm3。 结论： 1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少； 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。 热敏，光敏， 故温度稳定性差 T = 0，不导电。 室温下，自由电子、空穴对，电阻率对温度极敏感 T=300K，本征载流子浓度：Si 1010/cm3，Ge 1013/cm3。 二、杂质半导体 有 N 型半导体和 P 型半导体 载流子数 ? 空穴数 载流子数 ? 电子数 电阻率对温度仍然敏感。 N型半导体 多数载流子：自由电子 空穴 少数载流子： 空穴 自由电子 P型半导体 掺杂约1016/cm3，电阻率下降为百万分之一。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 解：（1）√ （2）× 杂质半导体中，多子和少子都参与导电 I IP IN I = IP + IN N 型半导体 I ? IN P 型半导体 I ? IP 思考： 空间电荷区、耗尽层、势垒层 多子扩散、少子漂移， 离子不动 1. 载流子的浓度差 引起多子的扩散 内建电场 2. 复合使交界面形成空间电荷区 (耗尽层) 空间电荷区特点: 无载流子， 阻止扩散进行， 3. 扩散和漂移达到动态平衡 总电流 I = 0 P 区 N 区 内电场 外电场 外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。 IF 限流电阻 扩散运动加强形成正向电流 IF 。 IF = I多子 ? I少子 ? I多子 P 区 N 区 内电场 外电场 外电场使少子背离 PN 结移动， 空间电荷区变宽。 IR PN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。 漂移运动加强形成反向电流 IR IR = I少子 ? 0 2. 外加反向电压(反向偏置) 1. 外加正向电压(正向偏置) + -- 单向导电性 正偏 反偏 导通 N P 截止 N P 四、PN 结的伏安特性 反向饱和电流 温度的 电压当量 电子电量 玻尔兹曼常数 当 T = 300 K(27?C)： UT = 26 mV O u /V I /mA 正向特性 反向击穿 加正向电压时 加反向电压时 i≈–IS 1、PN结 电流方程 2、伏安特性曲线 PN结 电流方程 正偏， 单向导电性！ 微安级，可忽略 指数式增大 门限电压UON 正常工作