第一章-常用半导体器件剖析.ppt

三、PN结VCR方程 一、晶体管内部载流子的运动 一、输入特性曲线 二、输出特性曲线 （b）当栅极加有电压时，若 0＜uGS＜UGS(th) （ UGS(th)称为开 启电压)时: 在Sio2介质中产生一个垂直于半导 体表面的电场，排斥P区多子空穴 而吸引少子电子。 但由于电场强度有限，吸引到绝 缘层的少子电子数量有限，不足 以形成沟道，将漏极和源极沟 通，所以不可能以形成漏极电流ID。 0＜uGS＜UGS(th) ， ID=0 (c)进一步增加uGS，当uGS＞UGS(th) : 由于此时的栅极电压已经比较强，栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，将漏极和源极沟通，形成沟道。 如果此时uDS0，就可以形成漏极电流iD。在栅极下方导电沟道中的电子，因与P型区的载流子空穴极性相反，故称为反型层。 随着uGS的继续增加，反型层变厚，iD增加。 uGS 0 ? g吸引电子 ? 反型层 ? 导电沟道 uGS? ? 反型层变厚 ? uDS ? ? iD ? （2）漏源电压uDS对漏极电流iD的控制作用 （a）若uGS＞UGS(th)且固定为某一值: uDS=uDG＋uGS=－uGD＋uGS uGD=uGS－uDS uDS为0或较小时， uGD=uGS－uDS ＞UGS(th)， 此时uDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。这时iD随uDS增大。 uDS? ?iD ? uDSuGS-UGS(th) （b）当uDS增加到使uGD=UGS(th)： uDS=uGS-UGS(th) 靠近漏极的沟道被夹断，这相当于uDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。 uDS? ?iD 不变 （c）当uDS增加到uGD?UGS(th)： 预夹断区域加长，向s极延伸。 uDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， iD基本趋于不变 uDSuGS-UGS(th) uGS为大于UGS(th)的某一值时, uDS对iD的影响 可变电阻区 预夹断 恒流区 (a) 转移特性曲线 UGS UT ，iD = 0； UGS ≥ UT，形成导电沟道，随着 UGS 的增加，iD 逐渐增大。 　　三个区：可变电阻区、恒流区、夹断区。 UT 2UT IDO uGS /V iD /mA O iD/mA uDS /V O 预夹断轨迹 恒流区 可变电阻区 夹断区 UGS增加 (b) 输出特性 3.特性曲线 （N沟道增强型MOS管） 工作条件： UDS 0； UGS 正、负、零均可 iD/mA uGS /V O UGS(off) (a)转移特性 IDSS (b)输出特性 iD/mA uDS /V O +1V UGS=0 -3 V -1 V -2 V 4 3 2 1 5 10 15 20 N 沟道耗尽型 MOS 场效应管 　　三个区：可变电阻区、恒流区、夹断区。 增强型 绝缘 栅型 N 沟道 耗尽型 结型 P 沟道 耗尽型 结型 N 沟道 输出特性曲线 转移特性曲线 符 号 种 类 s g d s g d iD UGS= 0V + uDS + + 0 s g d B uGS iD 0 UGS(th) 　各类场效应管的符号和特性曲线 + UGS = UGS(th) uDS iD + + + 0 iD UGS= 0V - - - uDS O uGS iD UGS(off) IDSS uGS iD UGS(off) IDSS 耗尽型 增强型 绝缘 栅型 P 沟道 耗尽型 绝缘 栅型 N 沟道 输出特性曲线 转移特性曲线 符 号 种 类 ID s g d B uDS iD _ UGS=0 + _ _ 0 iD uGS UGS(off) IDSS 0 s g d B ID s g d B ID iD uGS UGS(th) 0 iD uGS UGS(off) IDSS 0 _ iD uDS _ 0 _ UGS= 0V + _ iD uDS 0 + 1.4.3　场效应管的主要参数 一、直流参数 饱和漏极电流 IDSS 2. 夹断电压 UGS(off) 3. 开启电压 UT 或UGS(th) 4. 直流输入电阻 RGS 　　结型场效应管一般在 107 ? 以上， 　　绝缘栅场效应管一般大于 109 ?。 O uGS iD IDSS UGS(off) UT 2UT IDO uGS /V iD /mA O 二、交流参数 1. 低频跨导 gm 2. 极间电容 用以描述栅源之间的电压 uGS 对漏极电流 iD 的控制作用 单位：iD 毫安(mA)；uGS 伏(V)；gm 毫西门子(mS) 极间电容愈小，则管子的高频性能愈好。一般为几个皮法。 三、极限参数 3. 漏极最大允许耗散功率 PDM 2.漏