电力电子技术基复习题.docVIP

一、单项选择题 1、硅材料电力二极管正向压降为（）。 A、0.3V B、0.7V C、1V D、1.5V 2、锗材料电力二极管正向压降为（）。 A、0.3V B、0.7V C、1V D、1.5V 3、研究电力电子电路的重要方法是（）。 A、电阻法 B、电流法 C、电压法 D、波形分析法 4、三相逆变电路中相邻序号开关导通间隔为（）。 A、30° B、60° C、90° D、120° 5、以下（）属于不控型器件。 A、晶闸管 B、三极管 C、二极管 D、场效应管 6、工频交流电是指频率为（）的交流电源。 A、50Hz B、60Hz C、90Hz D、120Hz 7、半导体器件的最高结温一般限制在（）。 A、30°～50° B、50°～100° C、100°～150° D、150°～200° 8、晶闸管额定电压是其在电路中可能承受最高电压的（）倍。 A、1～2 B、2～3 C、3～4 D、4～5 9、晶闸管额定电流是在通态电流平均值的基础上增加（）倍。 A、1～1.5 B、1.5～2 C、2～2.5 D、2.5～3 10、发展最快最有前景的电力电子器件是（）器件。 A、不控型 B、半控型 C、可控性 D、全控型 11、电力场效应晶体管中主要类型是（）。 A、P沟道增强型 B、N沟道增强型 C、P沟道耗尽型 D、N沟道耗尽型 12、以下属于电阻性负载的是