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- 2017-03-08 发布于贵州
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高级电工理论考题库
一、选择题
1、在多级放大电路的级间耦合中,低频电压放大电路主要采用(A)耦合方式。
A 阻容 (B)直接 (C)变压器 (D)电感
2、共发射极偏置电路中,在直流通路中计算静态工作点的方法称为(C)。
(A)图解分析法 (B)图形分析法 (C)近似估算法(D)正交分析法
3、磁极周围存在着一种特殊物质,这种物质具有力和能的特性,该物质叫(B)。
A 磁性 (B)磁场 (C)磁性 (D)磁体
4、关于磁场的基本性质下列说法错误的是(D)。
(A)磁场具有能的性质(B)磁场具有力的性质(C)磁场可以互相作用(D)磁场也是由分子组成
5、关于相对磁导率下面说法正确的是(B)。
(A)有单位 B 无单位 (C)单位是亨/米 (D)单位是特
6、以下列材料分别组成相同规格的四个磁路,磁阻最大的材料是(C)。
A 铁 (B)镍 C 黄铜 D 钴
7、在一个磁导率不变的磁路中,当磁通势为5安·匝时磁通为1Wb;当磁通势为10安·匝时,磁通为(C)Wb。 (A)2.5 B 10 C 2 D 5
8、在铁磁物质组成的磁路中,磁阻是非线性的原因是(A)是非线性的。
(A)磁导率 (B)磁通 (C)电流 (D)磁场强度
9、线圈中的感应电动势大小与线圈中(C)。
(A)磁通的大小成正比(B)磁通的大小成反比(C)磁通的变化率成正比(C)磁通的变化率成反比10、根据电磁感应定率求出的感应电动势,是在这段时间内的(A)。
(A)平均值 (B)瞬时值 (C)有效值 (D)最大值
11、空心线圈的自感系数与(C)有关。
(A)通过线圈电流的方向(B)周围环境温度(C)线圈的结构(D)通过线圈电流的时间长短
12、与自感系数无关的是线圈的(D)。 (A)几何形状 (B)匝数 (C)磁介质 (D)电阻
13、自感电动势的大小正比于本线圈中电流的(D)。(A)大小 (B)变化量(C)方向(D)变化率
14、线圈自感电动势的大小与(D)无关
(A)线圈中的电流的变化率 (B)线圈的匝数 (C)线圈周围的介质 (D)线圈的电阻
15、互感电动势的大小正比于(D)
(A)本线圈电流的变化量 (B)另一线圈电流的变化量
(C)本线圈电流的变化率 (D)另一线圈电流的变化率
16、互感器是根据(C)原理制造的。
(A)能量守恒 (B)能量变换 (C)电磁感应 (D)阻抗变换
17、感应炉涡流是(C)。
(A)装料中的感应电势 (B)流于线圈中的电流(C)装料中的感应电流 (D)线圈中的漏电流
18、涡流是(C)。 (A)感应电动势(B)产生于线圈中的电流(C)一种感应电流(D)自感电流
19、一个1000匝的环形线圈,其磁路的磁阻为500H-1,当线圈中的磁通为2Wb时,线圈中的电流为(C)A 。 (A)10 (B)0.1 (C)1 (D)5
20、使用JSS-4A型晶体三极管测试仪时,在电源开关未接通前,先将电压选择开关、电流选择开关放在(A)量程上。 (A)所需 (B)最小(C)最大(D)任意
21、JSS-4A型晶体三极管测试仪是测量中小功率晶体三极管在低频状态下的h参数和(C)的常用仪器。 (A)击穿电压 (B)耗散功率 (C)饱和电流 (D)频率特性
22、JSS-4A型晶体三极管h参数测试仪中的偏流源部分有(B)挡输出且连续可调,给被测管提供偏流。 (A)一 (B)两 (C)三 (D)四
23、JSS-4A型晶体三极管h参数测试仪的偏压源部分又(B)输出电压,供被测管偏压使用。
(A)1V和3V (B)10V和30V (C)30V和60V (D)60V和100V
24、用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特征时,(D)。
(A)X轴作用开关置于基极电压,Y轴作用开关置于集电极电流
(B)X轴作用开关置于集电极电压,Y轴作用开关置于集电极电流
(C)X轴作用开关置于集电极电压,Y轴作用开关置于基极电压
(D)X轴作用开关置于基极电压,Y轴作用开关置于基极电流
25、用晶体管图示仪观察显示3AG1E的输出特性时,(B)
(A)基极阶梯信号和集电极扫描信号的极性开关都拨向“+”
(B)基极阶梯信号和集电极扫描信号的极性开关都拨向“—”
(C)基极阶梯信号的集电极开关拨向“+”,集电极扫描信号拨向“—”
(D)基极阶梯信号极性开关拨向“-”,集电极扫描信号拨向“+”
26、JT-1型晶体管图示仪输出集电极电压的峰值是(B)V
(A)100(B)200(C)500(D)1000
27、JT-1型晶体管图示仪“集电极扫描信号”中,功耗限制电阻的作用是(D)。
(A)限制集电极功耗 (B)保护晶体管
(C)把集电极电压变化转换为电流变化 (D)限制集电极功耗,保护被测晶体管
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