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景德镇陶瓷学院 毕业设计（论文）任务书 中文题目：溅射功率对磁控溅射ZnO:W薄膜性能影响及研究 英文题目：EFFECT OF SUPTTERING POWER ON PROPERTIES OF ZnO:W THIN FILMS DEPOSITED BY MAGNETRON SUPTTERING 院 系： 机械电子工程学院 专 业： 电子科学与技术 姓 名： 方洪洲 学 号： 201110330222 指导教师： 胡克艳 起讫时间： 2014.11—2014.12.29 1．本毕业设计（论文）课题应达到的目的 （1）通过本实验来研究溅射功率对ZnO:W薄膜的组成、显微结构和光电性能的影响（1）不同衬底温度条件下沉积的TCO薄膜的分析，讨论对TCO薄膜晶粒的结构、尺寸、取向的影响。 （2）不同衬底温度条件下沉积的TCO薄膜的分析，讨论对TCO薄膜晶粒表面形貌，绒面结构，厚度的影响。 （3）不同衬底温度条件下沉积的TCO薄膜的光谱性能分析，讨论对TCO薄膜光谱透过性能的影响。不同衬底温度条件下沉积的TCO薄膜的讨论对TCO薄膜采用射频磁控溅射法制备ZnO:W薄膜的工艺设计为：固定靶衬间距51mm、溅射气压1Pa，生长温度RT（不额外加热）和总气体流量30sccm等最优参数水平不变，调节溅射功率分别为设计为：100W、150W、200W、250W和300W，溅射时间为60min，研究溅射功率对ZnO: W薄膜的组成、显微结构和光电性能的影响。其中W掺ZnO高密度陶瓷靶材的掺W量为1.5at%。 ZnO:W陶瓷靶材石英玻璃衬底溅射气体Ar衬底清洗剂 图3.1 不同溅射功率制备的ZnO: W薄膜层XRD图谱 Samples 2θ/( dhkl/nm FWHM/° D/nm Average D/nm 100W 34.138 0.2624 0.331 26 29.5 36.011 0.2492 0.263 33 67.734 0.1382 0.461 21 150W 34.057 0.263 0.335 25 30 36.032 0.2491 0.25 35 67.643 0.1384 0.684 14 200W 34.109 0.2626 0.404 21 25.5 36.027 0.2491 0.283 30 67.553 0.1386 0.537 18 250W 34.301 0.2612 0.562 15 21 36.108 0.2485 0.316 27 67.789 0.1381 0.394 25 300W 34.261 0.2615 0.638 13 17 36.123 0.2484 0.399 21 36.123 0.2484 0.399 21 表3.1 不同溅射功率制备的ZnO: W薄膜层衍射峰结构常数 图3.2 不同溅射功率制备的ZnO: W薄膜层SEM图 图3.3 不同溅射功率制备的ZnO: W薄膜层紫外可见近红外透射谱 图3.4 不同溅射功率制备的ZnO: W薄膜层光致发光谱 图3.5 不同溅射功率制备的ZnO: W薄膜层的电阻率变化[1] 陈建林，陈荐，何建军等编著,氧化锌透明导电薄膜及其应用,化学工业出版社,2011.06. [2]Burstein E．Anomalous Optical absorption limit in InSb．Physics Review，1954，93(3)：632-633. [3] 雷智，冯良桓，张静全等．透明SnO2薄膜的制备及结构、性质研究．太阳能学报，2004，25(5)：624-628． [4] Kawazoe H，Yasukawa M，Hyodo H，et a1．P—type electricaI conduction in transparent thin films of CuAloz．Nature，1997，389(30)：939-942． [5] Nagaraja R,Draeseke A D ,Sleihe A W,et al.P-type conducititity in Cucr1-xMgxO2 films and powers.Journal of Applied Physics.2001, 89 (12):8022-8025. [6]Ko J H,K