《模拟电子技术基础》1第二节 半导体二极管.pptVIP

思考问题 为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？ 为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？ 单向导电性的核心是什么？正偏和反偏引起多子还是少子的运动？ 普通二极管常见应用场合 整流、极性定向 降压 隔离或运算 续流 其它类型二极管 发光二极管（砷化镓 可见/不可见光） 光敏（光电）二极管 变容二极管 隧道二极管 数码管 点阵LED 点阵内部结构原理 设计一个光敏二极管构成的光控路灯电路： * 第二节 半导体二极管 第二节 半导体二极管 第二节 半导体二极管 PN结及其单向导电性 二极管的伏安特性 二极管的主要参数 稳压管 - + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - 1. PN结中载流子的运动 - + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - 空间电荷区 内电场 UD 又称耗尽层，即PN结。 最终扩散运动与漂移运动达到动态平衡，PN结中总电流为零，PN结宽度稳定。 内电场又称阻挡层，阻止扩散运动，却有利于漂移运动。 硅约为（0.6~0.8）V锗约为（0.2~0.3）V 一、PN结及其单向导电性 扩散 漂移 扩散和漂移运动 扩散运动浓度差而产生。加大耗尽层 漂移运