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近代物理實驗 Temperature-dependent Resistances of Metal and Doped Semiconductor 星期三　第八組 物理四　王思雯 物理三　吳竹涵 物理二　劉耕廷 目錄 實驗介紹 目的 原理 實驗方法 儀器 方法 實驗過程 結果與討論 導體電阻 半導體電阻 參考資料 實驗介紹 實驗目的了解導體及半導體在低溫下的電阻特性。 實驗原理 1.金屬電阻的產生(1)晶體結構內部原子規則排列 (2)加電壓產生電場使電子流動 (3)電子流動時碰撞到其他晶格原子減少動能減少的 2.金屬導體電阻公式(1)電阻率：由不同的材料和溫度決定和散射機制有關。 (2)截面積：面積大的金屬有較多空間予電子流動，故電阻較小 (3)長度：材料的電阻率(Resistivity)ρ及導電率(Conductivity)σρ=1/σ=E/J，單位為毆姆?公尺(Ω?m)E為外加電場對應的向量方程式為E = ρJσE (3)長度L之均勻截面導線的電阻為R =ρL / A) =(1/σ)(L / A) 4.ρ隨溫度的改變對許多材料(包括金屬)，由經驗歸納可得線性關係ρρ0 =ρ0α(T－T0)。 T0為參考溫度ρ0是在 T的電阻率α是電阻率的平均溫度係數載子決定導電率 (2