利用側壁蝕刻方法增加氮化鎵系列藍光發光二極體光輸出.docVIP

利用側壁蝕刻方法增加氮化鎵系列藍光發光二極體光輸出功率之研究之成果摘要 班級:光電四乙 指導老師: 李明倫 老師 學生學號/姓名: 497L0025 林璟良、497L0049 陳俊源 1. 前言 傳統氮化鎵發光二極體使用金屬有機氣相沉積 MOCVD 將磊晶層沉積在藍寶石基板 Sapphire 上。由於氮 化鎵跟藍寶石基板之間的晶格常數高達15%的晶格不匹配，再加上兩者的熱膨脹係數也有80%差距，因此氮化 鎵磊晶層與藍寶石基板因為應力造成晶格不匹配而產生的貫穿插排 Threading dislocations，TDs 過高，又有強 大的內部極化電場，造成內部發光效率遲遲無法提升，故仍有待各方研究以求突破。內部發光效率是指電子變 換成光子的比例。但往往因為結晶缺陷的因素，嚴重影響發光二極體的內部發光效率。要如何提升氮化鎵發光 二極體總光輸出功率，是該好好的極力去探討的問題。 1983年日本Yoshida博士等人，在藍寶石基板上先用高溫成長一層氮化鋁 AlN 做緩衝層 Buffer layer ，又稱 晶核形成層 Nucleation layer ，在其上成長氮化鎵，可得結晶較好的氮化鎵。而在之後為了得到更好結晶品質的 氮化鎵，更發展出側向磊晶成長 Epitaxial lateral overgrowth，ELOG 方法 [1]。且想要提升發光二極體的外部量 子效率 External