本节主要介绍8051单片机的存贮器结构.pptVIP

第二章2 光电导探测器(PC-Photoconductive) 某些物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收，从而改变了物质电导率的现象称为物质的光电导效应。利用具有光电导效应的材料（如硅、锗等本征半导体与杂质半导体，硫化镉、硒化镉、氧化铅等）可以制成电导随入射光度量变化的器件，称为光电导器件。最典型的光电导器件是光敏电阻。 ２、光电子期间的基本特性： 　光电探测器的基本特性包括： 　　　响应特性：响应率、探测率、时间常数 　　　噪声特性：信号噪声比 　　光电成像器件的特性： 　　　响应特性 　　　成像特性：分辨率、空间频率特性以及空间抽样特性 　　　噪声特性 　本节只介绍响应特性、探测率及吸收系数 3.2.1 光谱响应率和响应率 　　　光电探测器输出信号电压或电流与单位入射光功率之比、即单位入射光功率作用下探测器的输出信号电压或电流称为响应率，包括光谱响应率和积分响应率。 １、光谱响应率 　 　　　　　光敏电阻 　光敏电阻的工作原理和结构 光敏电阻的特性参数 光敏电阻的变换电路 常用光敏电阻 小结 应用实例 光敏电阻演示 当光敏电阻受到光照时，光生电子—空穴对增加，阻值减小，电流增大。 M1的理解 如何提高M 二. 光敏电阻的基本结构 （a）梳状结构：梳形电极间距很小，之间为光敏电阻材料，灵敏度高。 （b）蛇形结构：光敏面为蛇形，两侧为金属导电材料，并在其上设置电极。 （c）刻线式结构：在制备好的光敏电阻衬基上刻出狭窄的光敏材料条，再蒸涂金属电极。 光敏电阻实物图 当光敏电阻受到光照时， 阻值减小。 三. 噪声特性 2. 噪声对偏流的影响 四.伏安特性 八. 响应时间和频率响应 对于本征光电导器件在非平衡状态下光电导率Δσ和光电流IΦ随时间变化的规律为 光电导率和光电流变化的规律为 例：高阻PC探测器的恒流偏置电路 例：硫化铅（PbS）PC探测器的恒压偏置 判断电路的偏置方式 3.2.4 常用光敏电阻 二.PbS光敏电阻 三.InSb光敏电阻 四. Hg1-xCdxTe系列光电导探测器件 实例一 实例二 3.2.5 小结 怎样检查光敏电阻的好坏 光敏电阻的好坏可用万用表测量。当没有光照在光敏电阻上时，光敏电阻的阻值应在1MΩ以上，当有较强光照在光敏电阻上时，光敏电阻的阻值应在10kΩ以下。一般光敏电阻的电阻值不受光照时是受光照射时的100～1000倍。 3.2.6 应用举例 二、火焰探测报警器 三、照相机电子快门 例：锑化铟（InSb）光电导探测器（77K）的匹配偏置电路 由偏置电压源（12V）和R1，DW1,R2,R3以及C1构成的稳压滤波电路提供稳定的偏置电压。探测器暗阻（77K时）为1.8k?，RL亦为1.8k?，构成匹配偏置。注意该处的稳压管DW2用来保护探测器，使之两端电压不超过额定值。 4. 三种偏置方式比较 （1）从响应度和偏置电压源方面比较 恒流偏置（RLRd，取RL=10Rd) 匹配偏置（RL = Rd） 恒压偏置（RLRd，取RL=Rd/10） 响应度: 恒流偏置匹配偏置恒压偏置 由于恒流偏置需要很高的VB，在实用中可采用匹配偏置而获得与恒流偏置相当的响应度。 偏置电压: 恒流偏置匹配偏置恒压偏置 （2）从放大器输出的S/N比较 当探测器与放大器系统的噪声以放大器的非热噪声（1/f噪声, g-r噪声）和前放的In为主时，信噪比与偏置方式无关（即与RL无关）。 当系统以探测器的热噪声和前放的En为主时： 恒流偏置S/N＞匹配偏置S/N＞恒压偏置S/N。 5．小结 （1）PC探测器一定要加偏置电路。 （2）设计偏置电路时（确定VB和RL ），首先要根据所用探测器的信号噪声及S/N输出对偏置电流IL的关系曲线选定IL值。通常在S/N最大值范围内选取。 （3）选定IL值，再根据系统情况选择偏置方式来确定RL值。 一般按 S/N大为准则，优先选用恒流偏置，即RL Rd（一般为RL≥10Rs），无必要或不便采用恒流偏置时，可用恒压和匹配偏置。 选用恒压偏置时，一般使10RL≤Rd，其信号输出幅值稳定，受Rd变化影响小。 对于高阻探测器（ Rd一般大于1MΩ），一般不采用恒流偏置（偏压要相当高），同时如对响应时间也有较高要求，则RL就不能选大，而常采用恒压偏置或匹配偏置。 （4）根据VB ＝ IL （RL+Rs），在Rd，RL，IL已定下，算出VB值，且满足VB≤VBmax，否则需重新设计选定。 光谱响应范围宽， 测光范围宽， 灵敏度高， 无极性之分, 价格便宜, 强光照射下线性较差，频率特性也较差。 ? 光敏电阻的重要特点是： 光敏电阻按