半导体芯片制造中复习题A.doc

半导体芯片制造 单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列，并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。( √ ) 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。(√) 点缺陷，如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它们构成的复合体。(√) 位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。(√) 抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。(×) 液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。( √ ) 离子源是产生离子的装置。（√ ） 半导体芯片制造工艺对水质的要求一般. （×） 光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性 光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。 （√） 设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁处理，可直接进入净化区。 （×） 干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。 （√） 光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。 （×） 在半导体集成电路中，各元器件都是制作在同一晶片内。因此要使它们起着预定的作用而不互相影响，就必须使它们在电性能上相互绝缘。 （√） 金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂膜的同时，把胶膜上的金属一起去除干净。（√） 表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜，使器件的表面与周围气氛隔离。（√） 二 选择题 下列材料属于N型半导体是 AC 。 A 硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As) B．硅中掺有元素杂质硼(B)、铝(Al) C 砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(Te) D．砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁 属于绝缘体的正确答案是 B 。 A 金属、石墨、人体、大地 B 橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷 C 硅、锗、砷化镓、磷化铟 D 各种酸、碱、盐的水溶液 （ A ）10、说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫： A、逻辑设计 B、物理设计 C、电路设计 D、系统设计 （ D ）11、腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用 A、盐酸 B、硫酸 C、硝酸 D、氢氟酸 （ D ）12、下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常使用的是： A、单基极条图形 B、双基极条图形 C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构 D、梳状结构 位错的形成原因是 C 。 A 位错就是由弹性形变造成的 B 位错就是由重力造成的 C 位错就是由范性形变造成的 D 以上答案都不对 硅外延生长工艺包括 ABCD 。 A 衬底制备 B 原位HCl腐蚀 C 生长温度，生长压力，生长速度 D 尾气的处理 硅外延片的应用包括 ABCD 。 A 二极管和三极管 B 电力电子器件； C 大规模集成电路 D 超大规模集成电路 离子注入层的深度主要取决于离子注入的 A 。 A 能量 B 剂量 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的 B 。 A 能量 B 剂量 （ D ）16、从离子源引出的是： A、原子束 B、分子束 C、中子束 D、离子束 （ B ）17、恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？ A、高斯函数 B、余误差函数 C、指数函数 D、线性函数 （ A ）18、在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？ A、干氧 B、湿氧 C、水汽氧化 D、不能确定哪个使用的时间长 （ D ）19、下列说法错误的是： A、扩散是微观离子的一种热运动方式，运动结果使浓度分布趋于均匀 B、间隙式杂质从一个间隙到相邻位置的运动为间隙式扩散 C、以间隙形式存在于硅中的杂质，主要是那些半径较小的杂质原子 Ⅰ号液是 A 过氧化氢清洗液. A 碱性 B 酸性 C 中性 二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行 C 扩散。 A 预 B 再 C .选择 介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是 C 层。 A 多晶硅 B 氮化硅 C 二氧化硅 光刻工艺是利用感光胶感光