《半导体物理》验指导书(2009年版).docVIP

半 导 体 物 理  目 录 实验一：霍尔效应 ………………………………………………… 1 实验二：四探针法测量半导体电阻率及薄层电阻 ……………… 6 实验三：椭偏法测薄膜厚度和折射率 …………………………… 9 附录A:《RTS-8型双电测四探针测试仪用户手册》……………11 附录B:《WJZ/WJZ-Ⅱ型多功能激光椭圆偏振仪使用手册》… 30 实验一 霍尔效应 一、实验目的 1. 了解霍尔器材对材料要求的知识； 2. 学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量试样的曲线； 3. 学会确定试样的导电类型，载流子浓度以及电导率。 二、仪器设备 QS-H型霍尔效应实验组合仪 三、实验原理 1. 导体材料霍尔系数的确定 由霍尔电压与磁感应强度B的关系，知，只要测出以及知道、B和d，可计算出霍尔系数 （1） 2. 导体材料导电类型的确定 若实验中能测出、B的方向，就可判断的正负，决定霍尔系数的正负，从而判断出半导体的导电类型。当时，样品属N型（载流子为电子），反之则为P型（载流子为空穴）。 3. 导体材料载流子浓度的确定 由霍尔系数，可得 （2） 如果知道、、B，就