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第四章 场效应管放大电路 §4.1 结型场效应管 　　场效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，是仅由一种载流子参与导电的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 　　场效应管分为结型和MOS型两种，结型包括N沟沟道和P沟道，MOS型也包括N沟道和P沟道两种，它们分别包含了增强型和耗尽型。 1. N沟道结型场效应管的结构和符号　　结型场效应管是一种利用耗尽层宽度改变导电沟道的宽窄来控制漏极电流的大小的器件。它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。P区即为栅极g G ，N型硅的一端是漏极d D ，另一端是源极s S 。 　　箭头方向表示栅结正偏或正偏时栅极电流方向。 （1）VGS对导电沟道的影响： a VGS 0，VDS 0,ID 0 VP VGS OFF ：夹断电压栅源之间是反偏的PN结，RGS 107Ω，所以IG 0 b 0 │VGS│ │VP│ c |VGS | │VP│ ， │VGS│↑→耗尽层变宽 导电沟道被全夹断 （2）VDS 0 但|VGS-VDS| | VP | ，时 a VDS增加，d端电位高，s端电位低，导电沟道内存在电位梯度，所以耗尽层上端变宽。　　VDS↑→ ID ↑ b | VGS- VDS | | VP |时，导电