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联大《模电》补内容及习题2011
补充内容及习题
《模拟集成电路基础》
主讲教师:孟秀玲
二○一一年二月
补 充 内 容
第三章 第二节 放大电路静态工作点的稳定
一、静点稳定必要性
(一)不稳定因素:UCC波动,管子老化,温度变化。
ICBQ↑
Ta↑ β↑ ICQ↑
UBEQ↓
(三)解决问题的设想
Ta↑ ICQ↑ ICQ基本不变
电路上采取措施 IBQ↓→ICQ↓
二、典型的Q点稳定电路(公压式电流负反馈稳定电路)
(一)电路组成及稳定原理
1.电路组成: 多三个元件Re、Rb1、Ce
2.电压关系式: I2 = I1 + IBQ ≈ I1 (I1》IBQ)
UBQ≈VCC [ Rb1 / ( Rb1+Rb2 ) ]
取决于VCC分压,与温度无关。Ta变,UBQ不变。
UBEQ↓= UBQ - UEQ = UBQ - IEQ↑Re
不变
3.稳定原理
Ta↑→ICQ↑→UCEQ↑→UEQ↑→UBEQ↓→IBQ↓
ICQ↓
反馈——将输出量通过一定方式引回输入回路,影响输入量。
负反馈——反馈结果使输入量变化减小。
直流负反馈——在直流通路中的反馈。
(二)Q 点估算
I1 IBQ I1≈I2
(三) 动态参数估算
1e
Ri = Rb1 // Rb2// hie
R0 = RC
2.无旁路电容Ce
Ri = RB1 // RB2// [hie + (1+ hfe) RE ]
R0 = RC
第四章 第二节 MOS场效应管三种基本放大电路
(一)静态工作点设置(场效应管放大器的偏置电路)
在RS上产生自给负偏压加到栅源间
UGS = UG – US = -IDRS
栅压UGS由管子自身的电流提供,故称自给偏压。
IDQ 在RS上产生负栅压加到栅漏间。
UGSQ=UGQ-USQ =-IDQRS
IGQ=0,RG上无直流压降,加RG防止交流短路。
偏压两部分: RS提供自给偏压,为负压
VDD经RG1、RG3分压,为正压
UGS = UG-US = VDD[RG1/(RG1+RG2)] - IDRS
RG3作用:栅流为0,RG3上无直流,为提高输入电阻而接
(二)基本共源放大电路
1. 静态分析
UGSQ= UG-US= UG-IDRS
UDSQ= UDD-ID(RD+RS)
由上式可解出UGSQ、IDQ和UDSQ。
2.动态分析
无栅流,UGS为开路电压接CS时:
一般 rds RD// RL RS;rds可忽略。
输入电阻: Ri=RG3+(RG1// RG2)? RG3
输出电阻: Ro =RD // rds ? RD
未接CS时:
电压增益:
(三)基本共漏放大电路
电压增益:
式中: RL=rds//R // RL ? RS // RL
输入电阻: Ri? ∞
:
与射极输出器类似: 输出阻抗低,电压增益近似为1
(四)基本共栅放大电路
电压增益:(rde近似开路)
输入电阻: 当rds近似开路时Ri= Ui / ID?1/ gm
所以:Ri ? R1 //(1/ gm)
: Ro ? (rds+RS//R1)//RD ? RD
补 充 习 题 解
第2章补充题
B 2-1.选择正确答案填入空内。
(1)P型半导体中有两种载流子导电,多数载流子是 ,少数载流子是 。
A. 空穴 B. 电子 C. 离子
(2)在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,加入 元素可形成P型半导体。
A. 五价 B. 四价 C. 三价
(3)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小
(4)稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
(5)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
(
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