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p型氧化锌薄膜制备及其导电率研究 摘要：总数了近年来p型氧化锌薄膜制备的研究现状，介绍了单元素和双元素掺杂以及其采用的主要方法，这些方法包括热蒸发法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、低温水解法、离子束增强沉积法、脉冲激光沉积法和磁控溅射法等。探讨了掺杂后产生的在光电磁方面的新特性。对p型氧化锌薄膜未来的发展进行了分析和预测，制备稳定、低电阻率和高载流子浓度的p型氧化锌薄膜将是今后研究的重点。 关键词：氧化锌；p型掺杂；低电阻率 引言 ZnO是一种新型的宽禁带氧化物半导体材料，具有压电、热电、气敏、光电等多种性能。早期对氧化锌材料的研究主要集中在透明点击、气敏和压敏传感器以及变阻器等领域，因此关于ZnO作为一种新型半导体光电材料的研究仍是一个十分前沿的课题。 ADDIN EN.CITE EndNoteCiteAuthor肖立娟/AuthorYear2012/YearRecNum40/RecNumDisplayTextstyle face=superscript[1]/style/DisplayTextrecordrec-number40/rec-numberforeign-keyskey app=EN db-id=axszw9rwc0d9v3e2te4xrfxfrf0a2x92etf0 timestamp=143436220240/key/foreign-keysref-type name=Journal Article17/ref-typecontributorsauthorsauthor肖立娟/authorauthor赵鹤平/authorauthor李长山/authorauthor郝佳伟/author/authors/contributorsauth-address吉首大学物理与机电工程学院;/auth-addresstitlestitlep型掺杂ZnO薄膜的研究进展/titlesecondary-title真空/secondary-title/titlesperiodicalfull-title真空/full-title/periodicalpages78-82/pagesnumber04/numberkeywordskeywordZnO薄膜/keywordkeyword光电性质/keywordkeywordp型掺杂/keyword/keywordsdatesyear2012/year/datesisbn1002-0322/isbncall-num21-1174/TB/call-numurls/urlsremote-database-providerCnki/remote-database-provider/record/Cite/EndNote[1] ZnO在室温下具有宽带隙能3.37eV，大激子结合能60meV以及高光增益320cm-1等特点，使其成为了一种广泛应用于短波光电器件中的半导体材料，例如紫外和蓝光发光二极管以及LDs等，合成高质量的n型和p型ZnO是提高其在光电器件中应用前景的关键步骤。 纯ZnO为本征n型半导体，存在着六种形态的本征施主缺陷：锌空位VZn、氧空位VO、间隙锌Zni、间隙氧Oi、反位锌ZnO、反位氧OZn，对守住掺杂产生高度自补偿租用，还有深受主能级和掺杂元素的固浓度低等原因，掺杂后基本都是n型导电，难以实现p型导电，从而限制了ZnO在光电器件中的实用化。 ADDIN EN.CITE EndNoteCiteAuthor夏志美/AuthorYear2014/YearRecNum22/RecNumDisplayTextstyle face=superscript[2]/style/DisplayTextrecordrec-number22/rec-numberforeign-keyskey app=EN db-id=axszw9rwc0d9v3e2te4xrfxfrf0a2x92etf0 timestamp=143436220222/key/foreign-keysref-type name=Journal Article17/ref-typecontributorsauthorsauthor夏志美/authorauthor刘竹林/author/authors/contributorsauth-address湖南工业大学冶金工程学院;/auth-addresstitlestitle氧化锌的p型掺杂改性研究进展/titlesecondary-title半导体技术/secondary-title/titlesperiodicalfull-title半导体技术/full-title/periodicalpages561-566/pagesnumber08/numberkeywordskeyword氧化锌/