数字集成电路设计第3章器件1要点分析.pptVIP

第三章 器件 3.1 二极管简介 ID = IS(e VD/ ?T – 1) 3.2 MOS晶体管 阈值电压VT 一、结构及工作机理：以N管为例，在P型衬底上对称掺杂两块高浓度的施主杂质N+区域，并通过金属电极外接电压，高的一端称为漏，低的一端称为源，并在源漏两端之间生成一层极薄的SiO2绝缘层（称为栅氧），也通过金属电极外接电压，这一极称为栅。 当然，一般情况下衬底接地。 工作机理：先假定S、D之间电压差为0，当在栅上逐渐加一正电压VG时，金属、绝缘体、半导体三者实际上就如同一电容结构。 因此，在金属和半导体的两个对表面上会感应出电荷，电量相等，极性相反，但有因为金属的自由电子密度极高，所以在金属便帽感应出的电荷会分布在一个原子层的范围之内。 而半导体的分布电荷密度小，在一个原子层内分布的电荷有限，所以为了分布与金属表面等量的电荷，会在半导体表面分布一定厚度的电荷，从而形成一个有电荷的区域，这个区域我们称为空间电荷区。 此时，半导体表面的电势称为表面势Vs。 1、当VG从0开始增大，金属接正极，则落在半导体的表面势VS0,表面处的能带就要向下弯曲。 由能带图可知，表面处的Ei-EF差值变小,由P型半导体EF=Ei-KTln(NA/ND)可知， Ei-EF变小，使得NA变小，所以P型半导体表面处空穴浓度表小，并且要小于体内的空穴浓度。 这就相当于表面处多子空穴耗尽，这一过程称为多子的耗尽 2、当VG继续增大，表面处能带进一步向下弯曲，使得表面处Ei比EF还小，所以Ei-EF0,由公式EF=Ei+KTln(NA/ND)可知，表面处P型发生了反型，由多子空穴变成了多子电子，并且当表面处电子的浓度与体内空穴的浓度相等时，我们把此刻定义为强反型。 并且把发生强反型时的栅压VG称为阈值电压VT 二、发生强反型时VS与VF的关系 若考虑在表面层中经典统计仍能适用的情况，则在电势为V的某一x点处，电子和空穴的浓度分别为： n=n0eqv/kT, P=p0eqv/kT,(n0,p0分别表示半导体体内的热平衡上时电子和空穴的浓度） 在表面处ns=n0eqvs/kT,又因为n0p0=ni2 所以ns=(ni2/p0) eqvs/kT 又由定义表面处电子的浓度等于体内空穴的浓度，可得ns=p0 所以p02=ni2eqvs/kT,两边开方得： p0=nieqvs/2kT 由公式p0=nieqvF/kT 得出：Vs=2VF 三、VT(发生强反型时的VG） 此时的VG可分为三部分：（1）用来抵消金属与半导体的功函数差以及界面电贺的影响所需要的栅压，即平带电压VFB；（2）产生强反型时所需要的表面势Vs=2VF;(3)强反型条件下表面层电荷QB在绝缘层上产生的附加电压 VT=VFB+VS-QB/Cox Cox为栅氧的单位面积电容， Cox =εox/tox Tox 为栅氧厚度 QB=-(4εsi qNAVF)1/2 功函数表示的是一个为费米能级的能量的电子从金属或半导体内部逸出到真空中所需要的最小能量。 VT=VFB+VS-QB/Cox VT =VFB+VS+ (4εsi qNAVF)1/2 /Cox VT = VT0 + ?(?|-2?F + VSB| - ?|-2?F|) 四、VT 的影响因素 1、当考虑衬底接负偏压时 Vs=|-2VF+VSB|= |2VF+VBS| 因为当衬底接负偏压时，会使得发生强反型时的Vs增加，这要求要有更大的VT 才能满足这一效果。所以，衬底接的负偏压越多，VT 增加 理想情况下qvm=qvs ,差距为0， 3、Cox=εox/tox tox减小，Cox增大， VT减小，但栅氧太薄又会容易引起击穿。 4、衬底杂质浓度NA ， VF=(KT/q)ln(NA/ni) NA增大 ， VT减小。 结论： 在选择功函数差比较低的基础上，适当降低衬底杂质浓度，减小栅氧厚度，适当调整SiO2 中的电荷量，一般可获得较低的阈值电压VT MOS晶体管的动态特性 动态特性 一个MOSFET管的动态响应只取决于它充（放）电这个器件的本征寄生电容和由互连线及互载引起的额外电容所需要的时间。 晶体管的本征电容有三个来源：基本的MOS结构电容；沟道电容；结电容。 结构电容是线性的，而另外两个是非线性的并且随所加电压而变化。 MOS结构电容（栅覆盖电容） 它是栅电容的一部分,现实中,源和漏都往往会在氧化层下延展一个数量xd,也称为横向扩散. 沟道电容—栅至沟道的电容 沟道电容CGC的大小及它在CGCS、CGCD和CGCB（分别为栅至源、栅至漏和栅至体的电容）这三部分之间的划分取决于工作区域和端口电压。 MOS管的栅（总）电容（栅沟道电容+栅覆盖电容） 结电容 它是由反向偏