1章 常用半导器件题解--完整.docVIP

第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ） （6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （4）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解：（1）A （2）C （3）B （4）A C 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。 图T1.3 解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V， UO6≈－2V。 四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。 图T1.4 解：UO1＝6V，UO2＝5V。 五、电路如图T1.5所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问： （1）Rb＝50kΩ时，uO＝？ （2）若T临界饱和，则Rb≈？ 解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为 μA 所以输出电压UO＝UCE＝2V。 图T1.5 （2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以 六．测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态 截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。 表T1.6 管 号 UGS（th）/V US/V UG/V UD/V 工作状态 T1 4 －5 1 3 T2 －4 3 3 10 T3 －4 6 0 5 解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表T1.7所示。 解表T1.6 管 号 UGS（th）/V US/V UG/V UD/V 工作状态 T1 4 －5 1 3 恒流区 T2 －4 3 3 10 截止区 T3 －4 6 0 5 可变电阻区 习 题 1.1 选择合适答案填入空内。 （1）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 （4）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 。 A.增大 B.不变 C.减小 解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A 1.2 电路如图P1.2所示，已知ui＝10sinωt v ，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：ui和uo的波形如解图P1.2所示。 1.3 电路如图P1.3所示，已知ui＝5sinωt V ，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图P1.3所示。 1.4 电路如图P1.4所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。 试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ID＝（V－UD）/R＝2.6mA 其动态电阻 rD≈UT/ID＝10Ω 故动态电流有效值 Id＝Ui/rD≈1mA 图P1.4 1.5 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问： （1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：（1）两只稳压管串联时可