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奈米材料的制程及其潜在的应用 文/李思毅、李佳颖、曾俊元 在著名的物理学家费曼 Richard P. Feynman 对未来的诠释下“There’s plenty of room at the bottom.“，我们所能明了与确切掌握的世界不断的向前延伸。近年来，诸多领域随着科学技术的进展而突飞猛进，借着向下缩减 Top down 与向上组装 Bottom up 两个主要制作技术的相辅相成，导致诸如电子、材料、物理、化学、生物等领域的发展，急剧地迈入了奈米世纪，向更深远的原子领域边缘前进，几个重大突破性的相关研究，更使得奈米技术在二十一世纪独领风骚。现今的奈米技术跳脱了传统的单调制程技术演进过程，迈入了要知道如何操控与讲求精确的需求，这样的进展，值得我们充分的了解。在本文中，我们将对于奈米制程技术的演进过程加以叙述，包括零维、一维、二维结构及材料，并介绍他们的特性及可能的应用。 一、前言 最初期的材料制作方式是一种从上而下的过程，亦即是一种由大至小的缩减过程，这样的过程以半导体制程的演进为例最具代表性。最初的组件尺寸，在发明初期可以拥有公分级的尺度，接着迅速的缩减至数十微米的范围，此后，随着摩尔定律的预测，进行尺寸缩减而制程复杂度也随之增加。直至现今，这样的制作过程已经面临了很大的瓶颈需要突破，在后摩尔定律时代，商业应用的组件尺寸在65奈米后遭致极大的制程挑战。因此在二十世纪末期，基础物理学家所提出的基本原子操控与性质控制的技术被重新的加以提出与研究[1]，如此造就了一个全新的世纪性领域，在迈过了千禧年之后，许多人即称这样的二十一世纪为奈米世纪。许多新的应用技术与制作方式如雨后春笋般的纷纷出现，使得奈米领域的应用范畴已经不单单只是为了半导体制程的需要而开发，在很多的生活应用领域，如医药、生物、化学与物理等等的应用普及化程度都快的让人惊讶。在本文中我们以现今所具备的奈米技术为经，未来可能的应用范围为纬，加以评述，希冀可以针对奈米材料的各项应用与制作的技术，给一个清楚而简要的介绍。 二、向下缩减制程的演进 整个半导体组件与集成电路的制程，可以说是传统的向下缩减制程的最佳例证。当然制作过程早先遭遇到许多的困难，经过不断的改良与制程的标准化作业后，演变至今，在奈米世纪里，仍然扮演着相当吃重的脚色。经过标准化的制程过程，可以概略的区分为三个较具代表性的时期，以制作的线宽来区分，分别是微米时代，次微米时代与奈米制程。 微米时代 在微米时代的制作技术，尺寸的限制与挑战均较为容易，以半导体制程为例，并不需要繁复的黄光及光罩制作与湿式蚀刻技术就可以轻易达到所需要的目标 图一 ，这时期的制作技术瓶颈一直到了一至二微米附近才遭遇到困难，进而导入了多样化的光罩制作技术与化学反应电浆干式蚀刻制程。 次微米世代 次微米制程是一个微米制程的向前延伸，其所面临的技术密集层面较微米时代的制程为繁复，其中最大的演进就在于新一代的黄光技术与精确的各式蚀刻技术的导入 图二 ，在堆栈各式不同性质薄膜的技术上，也做了很大的突破与改进，各种化学气相沉积的技术取代了传统的物理沉积方式，此时八吋晶圆制程被推进至十二吋的先进制程，以更大的面积，更小的组件尺寸以及更高的良率来达到各式消费性电子产品的广大需求。 奈米世纪 根据摩尔定律的推算，组件制程的向下缩减程度与制程复杂度相当，现今的先进半导体制程将目标大约放在65奈米甚至35奈米左右，这样的制程条件已经相当的严苛，不是一般传统的向下缩减制程技术所能轻易达到的 图三 ，最后终将会采用何种制程做为标准化的依据还难已决定，但是已经有许多研究单位与工业界的领先者，投入大量的资金与人力，试图为往后的半导体制程技术谋求新的突破。 三、向上组装与自我组装 在向下缩减制作过程遭遇到瓶颈之后，以探讨材料基本性质为主的几个制作方式陆续被提出研究，根据材料的不同性质，精确的控制成长的方式与型态，来达到应用所需的电学、光学及物理特性。现今广泛应用的技术可以依照所需的型态不同而加以区分，以下就针对不同维度的制作方式与应用来说明。 现今的奈米尺度制作与应用技术，是以泛称一百奈米以下的领域为主，而以维度上的奈米尺寸来区分，若一个维度的尺寸没有被限制在奈米尺度时称之为一维奈米结构，这样的应用领域多为一些奈米尺度的奈米棒或是奈米线，以这样的定义推之，产生了二维的奈米结构如奈米薄膜或积层膜，与零维的量子点或奈米粒子等奈米结构 图四 。 零维奈米结构 零维奈米结构是在空间中的三个方向均受到奈米尺度的限制所形成的一种奈米结构包括有奈米粒子和量子点。 量子点 quantum dot 是一三维的奈米材料，由少量的原子所构成。粗略地说，量子点三个维度的尺寸都在100奈米 nm 以下，但是并非尺吋小到100奈米以下的材料就是量子点，而是由电子在材料内的费米波长