纳米氮化硅脱模剂.docVIP

合肥开尔纳米能源科技股份有限公司 您好！感谢您对我公司的关注与支持！ 我公司的氮化硅粉体（用于太阳能行业高纯氮化硅粉体） 参数如下： 产品名称 纯度 比表面积 平均粒度 Si3N4 99.99% 20m2/g 1um-3um 纯度检测： 分析测试结果，w/% Cu Fe Cr Ni Co Zn 0.0001 0.0001 0.0001 0.0002 0.0001 0.0001 Al Mg Ca V Na W 0.0002 0.0001 ----- 0.0001 0.0001 0.0001 使用说明： 将氮化硅粉体加入去离子水中，搅拌均匀。（浓度大约为25%，质量比） 在搅拌的同时，利用喷枪将氮化硅水浆液喷涂于石英坩埚内壁。（喷涂前坩埚先预热50-60度，涂层厚度约为0.1mm 喷涂后将带有氮化硅涂层的石英坩埚烘烤20小时左右（缓慢加热到1000度后冷却） 烘烤结束后，即可装入硅料进行熔炼使用。 由于氮化硅粉体的耐高温性能，作为脱模剂使用可以使硅料更好的脱模，防止熔融硅与坩埚粘接，同时起到阻隔效果，保证硅产品的纯度。 由于我们的氮化硅粉体是根据客户的不同需要，在保证涂层厚度以及均匀性，以及保证在喷涂过程中不堵喷枪的前提下进行粒度调控。目前，江西，福建，江苏，河南等大部分企业的使用标准都为250克氮化硅粉体加入750ml的去离子水中（适用于270kg锭），进行喷涂。如果在实际操作中，遇到浓度过大或过稀的情况，在保证可以正常喷涂以及保证涂层厚度的情况下可以适当的加去离子水或增加粉体。 制备铸造多晶硅时，在原料熔化、晶体生长过程中，硅熔体和坩埚长时间接触会产生黏滞性。由于两种材料的热膨胀系数不同，如果硅材料和坩埚壁结合紧密，在晶体冷却时很可能造成晶体硅或坩埚破裂。而硅熔体和坩埚的长时间接触还会造成陶瓷坩埚的腐蚀，使多晶硅中的氧浓度升高。为了解决这些问题，工艺上一般采用Si3N4材料作为涂层附在坩埚的内壁，隔离硅熔体和坩埚的直接接触，不仅解决了黏滞问题，而且可以降低多晶硅中的氧、炭等杂质浓度。利用定向凝固技术生长的铸造多晶硅，多数情况下坩埚是消耗品，不能重复循环使用，即每炉多晶硅都需要消耗一只陶瓷坩埚。采用Si3N4涂层后可使陶瓷坩埚得到重复使用，大幅度降低了生产成本。 公司统一的联系信息： 安徽省合肥市高新区天湖路17号 电话：市场部总机（座机电话号码（总机）、座机电话号码（直拨）、1座机电话号码56）纳米金属变质剂招商事业部（座机电话号码）