主流DDR内存芯与编号识别.doc

主流DDR内存芯片与编号识别 出处：存储时代 作者：赵效民 日期：2004-4-14 编辑：竹饺 打印 ? 　　我们关注哪些厂商 　　在本站前不久的内存评测与优化专题中，经常会提到一些内存芯片编号，最近在一些论坛中也发现了类似的话题，因此就有了写一篇这方面文章的想法。在下文中，我们将介绍世界主流内存芯片厂商的芯片识别与编号的定义。所有相关资料截止至2004年4月6日，由于内存产品肯定存在着新旧交替与更新换代，厂商也因此会不定期的更新编码规则以为新的产品服务，所以若发现新产品的编号与我介绍的有所不同，请以当时的新规则为准。 　　这里要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意，他们并不是真正的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再自己或找代工厂封装。这类的芯片并不是主流（除了自己，其他模组厂商不可能用），厂商也没从公布完整详细的编号规则，有时不是厂商某一级别的技术人员都不会说清自己封装芯片的编号规则。因此，本文所介绍的内容不包括它们，请读者见谅。 　　那么，现在常见的内存芯片都是哪些厂商生产的呢？我们可以先看看下面这个2003年世界最大十家DRAM厂商排名。 　　从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、冲电气（Oki，日本）。 　　这其中，除了力晶、冲电气都是我们所比较熟悉的厂商，但华邦则在经历战略调整，大众商用型DDR内存芯片已经不再开发新的产品，并将于2004年年底退出这一领域。力晶半导体公司则也与之相似，在DDR内存开发上似乎并不上心，公司主页也非常简单。鉴于使用力晶与冲电气的内存产品非常罕见，以及华邦的未来走向，本文将按排名顺序依次介绍前7家公司的产品。由于相关参数的含义，本站的相关文章已经有详细的解释，在此我们就不再进行介绍了。 小提示：内存编号都能告诉我们什么？ ??? 在本站以往的内存专题中，大家可以了解到，对于内存系统而言，我们应该知道的一些内存基本信息，它们将有助于我们正确的认识内存的物理参数并进行正确的系统设置，而内存芯片上的编号则提供了关键参数的相关信息，主要包括： 1、芯片的容量：也称芯片的密度，当我们见一个内存模组，在不知道容量的时候，可以通过芯片的容量来计算出模组的容量，计算方式就是用芯片的数量乘心芯片的容量。单位是bit（小b），除以8就可以换算为Byte（大B）的容量。 2、芯片的位宽：可以说是芯片的结构，知道了芯片的位宽后，乘以芯片的数量就可以得出内存模组的总位宽，并以此能判断模组的物理Bank数量。比如8颗8bit的芯片组成的模组，就是单物理Bank模组，如果是16颗8bit芯片，就是双物理Bank。对于目前的内存子系统而言，增加一个物理Bank，就会增加可供管理的页面数量，有利于提高内存管理效率。 3、芯片的逻辑Bank数量：这可以让我们判断页面数量，进而设置相应的交错策略。 4、芯片的工作速度：这可能是最重要的信息，有的厂商还附带规定了相关的CL、tRCD、tRP时序参数，这无疑对我们了解芯片的能力是非常有用的，它可以免除我们查看SPD中的时序信息的麻烦（理论上，SPD中的时序信息要与所使用的内存芯片的参数相一致）。 ??? 除此之外还会有封装类型、刷新设置、接口、电压等方面的信息。总之，了解了芯片编号的含义，就基本可以判断其主要的指标了。 三星电子（SAMSUNG） 　　　三星电子内存芯片的外观 　　三星电子内存芯片编号的说明如下（可点击放大）： 　　三星的产品编号中能体现的信息并不是非常详细，但对于一般的指标识别是完全够用了，其中16、17、18三个编码一般不会在零售市场上出现，据悉它是为OEM市场而准备的编号。另外，在本图中，有关速度的标识并不全面，除了图中的5个选项外，还有以下两种也是比较常见的： 　　C4：DDR-400（3-4-4） 　　C5：DDR-466（3-4-4） 　　比如以上面的芯片图为例，我们可以看出它的容量是256Mbit，位宽为8bit，4个逻辑Bank、接口类型是SSTL-2，工作电压是2.5V，产品版本号为F，采用TSOP-II封装，为大众化普通商用产品，工作速度为DDR-400B级标准（3-3-3）