第3章 场效管放大电路习题答案.docVIP

第3章 场效应管放大电路 3-1判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ） （2）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 3-2选择正确答案填入空内。 （1）UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有 B 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 （2）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小 3-3改正图P3-3所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共源接法。 图P3-3 解：（a）源极加电阻RS。 （b）漏极加电阻RD。 （c）输入端加耦合电容。 （d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD 改正电路如解图P3-3所示。 解图P3-3 3-4已知图P3-4(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(c)所示。 （1）利用图解法求解Q点；（2）利用等效电路法求解、Ri和Ro 。 图P3-4 解：（1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。如解图P3-4（a）所示。 解图P3-4 在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。如解图P3-4（b）所示。 （2）首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。 3-5 已知图P3-5（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解电路的Q点和。 图P3-5 解：（1）求Q点： 根据电路图可知， UGSQ＝VGG＝3V。 从转移特性查得，当UGSQ＝3V时的漏极电流 IDQ＝1mA 因此管压降 UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V。 （2）求电压放大倍数： 3-6电路如图3-6所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出、Ri和Ro的表达式。 图P3-6 解：、Ri和Ro的表达式分别为 3-7 电路如图所示。已知VDD=12V，，RG=100kΩ，RD=1kΩ,? 场效应管T的 IDSS=8mA、UGS(off)=－4V。求该管子的IDQ及静态工作点处的gm值。 图P3-7 解：=2 = 3-8已知某种场效应管的参数为UGS(th)=2V，U(BR)GS=30V, U(BR)DS=15V，当UGS=4V、 UDS=5V时，管子的IDQ=9mA。现用这种管子接成如图所示的四种电 路，电路中的RG=100kΩ， RD1=5.1KΩ，RD2=3.3kΩ，RD3=2.2kΩ，RS=1kΩ。试问各电路中的管子各工作于：放大、截止、可变电阻、击穿四种状态中的哪一种？ 图P3-8 解：先求场效应管的x值。由已知的＝4v时＝9mA及 ＝2v，代人公式，可求得K＝2.25mA／. 图(a)管子击穿.图(b)管子击穿 图(c)可变电阻区 图（d）放大区 3-9在图所示的四种电路中，RG均为100 kΩ，RD均为3.3kΩ，VDD=10V，。又已知：T1的IDSS=3mA、UGS(off)=－5V；T2的UGS(th)=3V；T3的IDSS=－6mA、UGS(off)=4V；T4的IDSS=－2mA、UGS(off)=2V。试分析各电路中的场效应管工作于放大区、截止区、可变电阻区中的哪一个工作区？ 图P3-9 解：图a T1为N沟道JFET，由图可知T1工作于放大区 图b T2工作于截止状态 图c工作于可变电阻区 图d 工作于放大区 3-10 试判断图所示的四种电路中，哪个（或哪几个）电路具有电压放大作用。 图P3-10 解d 3-11 电路如图所示。其中－VDD=－20V，RG=1MΩ， RD=10kΩ, UGSQ=2V，管子的IDSS=－2mA、UGS(off)=4V，各电容器的电容量均足够大。试求：(a)? IDQ及RS1的数值;(b) 为使管子能工作于恒流区，RS2不能超过什么