铜铟镓硒太阳能池(GIGS )在光伏建筑一体化(BIPV)的应用.doc

铜铟镓硒太阳能电池(GIGS )在光伏建筑一体化(BIPV)的应用 来源:09年会论文集 作者: 黎威林 日期:2009-4-22 　 页面功能 【字体：大 中 小】【打印】【关闭】【评论】 摘要：本文介绍了光伏建筑一体化(BIPV)最新的发展和未来的前景，重点介绍铜锢稼硒太阳能电池的最新发展状况。关键词：光伏建筑一体化Binding Integrated Photovoltaica ( BIPV) ;光电幕墙photoelectrieity curtain wall;晶体硅电池crystal silicon cell;非晶硅电池amorphous silicon cell 　　1.前言　　光伏发电是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术。这种技术的关键元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池组件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。因为阳光普照大地，光伏发电较少受地域限制;光伏系统还具有安全可靠、无噪声、低污染、无需消耗燃料和架设输电线路即可就地发电供电及建设周期短的优点，因而得到了广泛的应用。(如图1.1-1.4） 　　2.太阳能电池板种类介绍　　自从1954年第一块光伏电池问世以来，太阳光伏发电取得了长足的进步，但比计算机和光纤通讯的发展要慢得多。因为人们对信息的追求特别强烈，而常规能源还能满足人类对能源的需求。1973年的石油危机和90年代的环境污染问题大大促进了太阳光伏发电的发展。在21世纪的今天，随着科技的飞速进步，太阳光伏发电呈多极化发展，相互之间也逐渐进人良性竞争循环。目前太阳能电池主要分两大类:晶圆型和薄膜型。晶圆型主要有单晶硅、多晶硅、GaAs，(CIS.CIGS)薄膜型主要有非晶硅(a-Si)、微晶硅下面是各种太阳能电池的转换率比较〔图2.1，2.2): 　　3.铜铟镓硒(GIGS )一太阳能电池的第三次技术革命　　在30多年前，因为晶体硅太阳能电池的出现，有了太阳能电池的第一次技术革命。从发明至今，晶体硅一直作为光伏发电市场的主导者，虽然目前在航天、通讯及微功耗电子产品领域中已占据了不可替代的位置，但作为社会整体能源结构的组成部分所占比例尚不足1%。　　尽管技术工艺上不断改进，但晶体硅电池的内在缺点—原材料成本高，资金效率低始终无法解决。由于硅不能强有力地吸收光能，所以制造晶体硅太阳能电池需要大量的半导体材料，而且晶片容易碎。所以晶体硅电池的生产加工工艺一直都无法适应大规模的工厂化生产。　　在10多年前，随着第一个商用“薄膜”太阳能电池诞生，标志着太阳能第二次技术革命的到来。它采用了新型的无硅半导体材料，降低了太阳能电池的材料成本，而且此类电池的吸收体(半导体)厚度比硅晶片电池更薄。　　然而，太阳能第二次技术革命不能彻底改变太阳能电池总体成本高，资金效率低的状况。薄膜沉积技术的真空限制导致处理成本过高。因此，利用真空薄膜沉积技术生产的太阳能电池始终无法替代晶体硅电池。　　自20世纪90年代中后期以来，薄膜型太阳能电池呈多极化发展，其中的CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳能电池由于材料有近似最佳的光学能隙(Eg)、吸收率高(105/cm)、杭辐射能力强和长期的稳定性等特点，被国际上称为最有希望获得大规模应用的太阳能电池之一。近年来，CIGS技术取得了长足的发展。先是CIGS电池实验室转换效率再创新高，美国再生能源实验室(NREL)2008年3月28日公布其GIGS电池的实验室转换效率再度刷新其原先缔造的19.5%的历史纪录，达到19.9%，使得GIGS电池的转换效率进一步逼近多晶硅电池的20.3%。同时CIGS的制备方法也不断的成熟。GIGS太阳电池的结构主要包括GIGS薄膜、缓冲层US薄膜、窗口层ZnO和ZnO:Al薄膜(见图3.1)，其核心是作为吸收层的GIGS薄膜。GIGS薄膜的制备以往有两种技术路线，即共蒸发法和溅射后硒化法。共蒸发法特点是薄膜质量好，容易实现元素的梯度分布，电池转换效率高，但是该方法对设备要求严格，蒸发过程不容易控制，大面积均匀性与连续化生产难度很大。溅射后硒化法是先按照元素比例溅射沉积金属预制层，在Se气氛中硒化反应形成铜铟硒(简称CIS)或铜铟镓硒(简称CIGS)化合物半导体薄o虽然目前a射后硒化法制备的电池转换效率低于共蒸发法，但它是相对较容易实现大规模工亚化生产的技术途径，该方法制备的大面积GIGS薄膜均匀性好，设备和工艺比较容易实现。溅射后硒化法工业化一般使用固态硒颗粒为硒源，其有效避免了采用硒化氢(H2Se)为硒源产生的H2Se气体剧毒，易燃易爆，安全性不好，价格昂贵.运输储存困难等缺点。 　　2008年，CIGS薄膜太阳能电池出现沉积新方法，它使用了纳米