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电气技术基础Ⅱ复习题 模拟电子技术基础部分 第1章 半导体器件 一、填空题 1、纯净的具有晶体结构的半导体称为 本征 半导体。N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子。 2、三极管 N 区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区稳压管是一种特殊物质制造的 接触型二极管，工作在特性曲线的 区。 在不使用时应避免 极悬空，务必将各电极短接。UO＝－E1＝－6V 2、用直流电压表测某电路中三只晶体管的三个电极对地的电压，其数值如图1—4所示。试指出每只晶体管的E、B、C三个极，并说明该管是硅管还是锗管，是NPN型还是PNP型的。 图1－4 解 在正常工作的情况下NPN型硅管发射结的直流压降为UBE＝0.6～0.8V；PNP型锗管UBE＝－0.2～－0.3V。 因V1管的UBE＝UB－UE＝－2.3V－（－3）V＝0.7V。且满足UC＞UB＞UE，可见V1是NPN硅管： V1的三个极：②为B，③为E，①为C； 因V2管的UBE＝UB－UE＝（－0.7）V －0V＝－0.7V，且满足UC＜UB＜UE，所以V2是PNP型硅管。 V2的三个极：①为E，②为B，③为C； 因V3管的UBE＝UB－UE＝5.7V－6V＝－0.3V，且满足UC＜UB＜UE，所以V3是PNP型锗管。 V的三个极：②为B，①为E，③为C。 3、图所示电路中，E=5V，V，二极管为理想元件，试画出u0的波形。 答：分析：根据电路可知，当uiE时，二极管导通u0=ui，当uiE时，二极管截止时，u0=E。所以u0的波形图如右上图所示。 三、简答题 1、P 型、N 型半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样形成的？ 答：无论P 型、N 型半导体，多数载流子由两部分组成：一部分是由本征激发形成，数量很少，且与温度和光照有关；另一部分是由掺杂形成，数量很多，且与温度和光照无关。少数载流子则全部由本征激发形成 2、半导体二极管由一个PN结构成，三极管则由两个PN结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？ 答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为，两个背靠背的二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄的内部条件，即使是发射区向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向集电区扩散，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。 第2章 放大电路 一、填空题 1、基本放大电路的三种组态分别是： 共发射极 放大电路、 共集电极 放大电路和 共基极 放大电路。无论哪一种组态，要起到放大作用，都必须满足发射结正偏、集电结反偏 的外部条件。 2、射极输出器具有 恒小于1、接近于1， 和 同相，并具有 高和 低的特点。放大电路有两种工作状态，当ui＝0时电路的状态称为 态，有交流信号ui输入时，放大电路的工作状态称为 态。在 态情况下，晶体管各极电压、电流均包含 分量和 分量。放大器的输入电阻越 ，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越 ，放大器带负载能力就越强。UCC＝12V，Rb＝280kΩ, RC＝4kΩ，RL＝3kΩ，三极管的β＝60，UBE＝0.7V。 ⑴ 求静态工作点IBQ、ICQ和UCEQ的值。 ⑵ 画出电路的微变等效电路。 ⑶ 求电路的电压放大倍数Au、输入电阻ri和输出电阻ro的值 图2－1 微变等效电路 解：⑴ ⑵ 微变等效电路如图所示。 ⑶ 2、电路如图2－2所示，已知UCC＝12V，RB1＝10kΩ,RB2＝20kΩ，RC＝2kΩ，RL＝2kΩ， RE＝2kΩ，三极管的β＝50，UBE＝0.7V。 ⑴ 求静态工作点IBQ、ICQ和UCEQ的值。 ⑵ 画出电路的微变等效电路。 ⑶ 求电路的电压放大倍数Au、输入电阻ri和输出电阻ro的值 图2－2 微变等效电路 解：⑴ ⑵ 微变等效电路如图所示